Четвертый семинар 
по проблемам химического осаждения из газовой фазы

1 – 3 февраля 2017

ИНХ СО РАН, Новосибирск

ПРОГРАММА СЕМИНАРА

ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ

Общая информация

Институт неорганической химии СО РАН и Иркутский институт химии СО РАН в рамках Кузнецовских чтений, посвященных памяти и научному наследию российского учёного и организатора науки академика Федора Андреевича Кузнецова, проводят Семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы. Данное мероприятие является продолжением серии семинаров, которые проходили в Иркутске (2010, 2013) и в Новосибирске (2011). Четвертый семинар планируется провести 1 – 3 февраля 2017 г. в Институте неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН.

Организаторы

Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского СО РАН

Организационный комитет

Председатель:
чл.-к., профессор В.П. Федин, директор ИНХ СО РАН, Новосибирск

Ученый секретарь семинара: 
к.х.н., доцент М.Л. Косинова, зав. лаб., ИНХ СО РАН, Новосибирск

Члены программного оргкомитета: 
д.х.н. И.Г. Васильева, ИНХ СО РАН, Новосибирск
д.х.н. И.К. Игуменов, ИНХ СО РАН, Новосибирск
д.х.н. Н.Б. Морозова, ИНХ СО РАН, Новосибирск
д.х.н. В.И. Рахлин, ИрИХ СО РАН, Иркутск
к.х.н. О.И. Семенова, ИФП СО РАН, Новосибирск

Научная программа

1. Фундаментальные основы процессов CVD (химия газовой фазы и поверхности, механизмы реакций, кинетика, моделирование, взаимосвязь структуры и свойств).

2. Новые исходные вещества для процессов CVD: синтез, очистка и характеризация.

3. Новые направления в развитии технологии CVD (активированные процессы, ALD, гибридные технологии и др.)

4. Новые материалы и сложные структуры, полученные в процессах CVD (однородные и градиентные слои, напряженные слои, структуры различной архитектуры: нанотрубы, нанонити, нанокомпозиты, наночастицы и квантовые точки).

5. Диагностика пленок и покрытий, контроль процессов CVD (контроль процессов превращений компонентов газовой фазы, состояние образующихся фаз, функциональные характеристики слоев и структур).

6. CVD: путь от лаборатории к промышленной технологии.

7. Применение процессов CVD (микро, нано- и оптоэлектроника, химические сенсоры, катализ, производство энергии, оптические и защитные покрытия и др.)

Ключевые даты

до 15 декабря 2016
Регистрация участников, прием тезисов докладов.                  

до 1 января 2017
Уведомление о включении доклада в программу семинара.

до 10 января 2017
Рассылка информационного сообщения №2 и программы.

до 15 января 2017
Срок бронирования гостиницы.

1-3 февраля 2017
Работа семинара.

Для участия в работе семинара необходимо  

  1. Переслать в оргкомитет регистрационную форму участника семинара.
  2. Представить в электронном виде ученому секретарю семинара М.Л. Косиновой:

Контакты

По всем интересующим вопросам просим обращаться:

Учёный секретарь семинара к.х.н. Марина Леонидовна Косинова
ИНХ СО РАН, пр-т Ак. Лаврентьева, д. 3, Новосибирск, 630090
E-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.