ИНХ СО РАН – мировой лидер по свойствам сцинтилляционных кристаллов

В журнале «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники» опубликована статья сотрудников института, иллюстрация к которой вынесена на обложку журнала.

В статье представлен широкий круг проблем, связанных со становлением, развитием и практической реализацией научных исследований в области материаловедения, выполненных коллективом сотрудников Института неорганической химии им. А.В.Николаева СО РАН под руководством академика Ф.А.Кузнецова. Показана плодотворность его идеи комплексного физико-химического изучения каждой стадии приготовления материала: от предшественника к готовому элементу конкретного устройства. Отмечено его безошибочное предвидение значимости выбираемых объектов исследования, его умение связывать проводимые исследования с насущными и  глобальными проблемами, такими как электроника, информатика, энергетика, фотовольтаика, его способность сплачивать коллектив общей идеей, способствовать активному участию в развитии науки как российской, так и международной, оставаясь при этом локомотивом проводимых передовых работ. Статья написана в память о человеке, организаторе науки, ученом и патриоте, чья деятельность всегда была нацелена на прорывные технологии, обеспечивающие процветание и безопасность Родины.

ИНХ СО РАН – мировой лидер по свойствам сцинтилляционных кристаллов Bi₄Ge₃O₁₂ (BGO). Обложка журнала Известия ВУЗов.