В журнале Advanced Electronic Materials (ИФ 5.466) опубликована статья с участием сотрудников Института Сысоева В.И., Пинакова Д.В., Чеховой Г.Н., Булушевой  Л.Г. и Окотруба А.В.

«Electrical Transport in Devices Based on Edge‐Fluorinated Graphene», Kolesnik-Gray, M.; Sysoev, V. I.; Gollwitzer, S.; Pinakov, D.V.; Chekhova, G.N.; Bulusheva, L.G.; Okotrub, A.V.; Krstić, V. // Adv. Electron. Mater. 2018, 1800073. DOI:10.1002/aelm.201800073 Посмотреть статью 

(a) Схематическое изображение устройства, (b) СЭМ-изображение поверхности пленки фторированного графена (ФГ), (c) оптическое изображение монослоев фторированного графена на кремниевой подложке, (d) микрофотография устройства на основе ФГ.

Изучено поведение проводимости моно- и малослойных фторидов графена в зависимости от стехиометрического состава. Фторированные производные графена являются крайне привлекательными в качестве электронных и оптоэлектронных устройств из-за сильного влияния фтора на плотность носителей заряда в системе вследствие высокой электроотрицательности атомов фтора. Показано, что проводимость малослойных ФГ уменьшается на несколько порядков величины при увеличении концентрации фтора от 2,4 до 16,6 ат%, в то же время индивидуальные монослои показывают увеличение как проводимости, так и концентрации носителей. Таким образом, правильный выбор содержания фтора и слойности материала позволит контролировать свойства материала для конкретных приложений, таких как химические сенсоры, термоэлектрики, транзисторы и другие устройства.