В журнале Applied Surface Science (ИФ  5.155) опубликована статья с участием сотрудников Института  Лебедева М.С., Афонина М.Ю., Королькова И.В.

"Optical properties and charge transport of textured Sc₂O₃ thin films obtained by atomic layer deposition" Lebedev M.S, Kruchinin V.N., Afonin M.Yu., Korolkov I.V., Saraev A.A, Gismatulin A.A., Gritsenko V.A. // Appl. Surf. Sci. 2019 V.478, p.690-698. DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.01.288  Посмотреть статью 

Морфология поверхности и дифрактограммы пленок Sc₂O₃ в зависимости от условий процесса атомно-слоевого осаждения.
Иллюстрация текстурированности пленок.

Пленки оксида скандия толщиной d = 20–100 нм наносились методом атомно-слоевого осаждения (АСО) с использованием трис-(метилциклопентадиенила) скандия (III) Sc(MeCp)₃ (синтезированного в ИНХ СО РАН) и паров воды H₂O в качестве предшественников при температуре реактора 200–400°C. АСО-окно обнаружено в диапазоне 230-370°C. В этом диапазоне прирост толщины за цикл оставался постоянным и составлял 0.080–0.084 нм / цикл. Пленки являются поликристаллическими. Размер зерна увеличивается с толщиной. Фаза кубического Sc₂O₃ идентифицирована методами ИК-спектроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифракции.

Пленки являются текстурированными, и их рост происходит в основном в направлении (400). Дисперсии показателя преломления хорошо описываются в рамках модели прозрачной пленки. Оптические свойства слабо зависят от параметров процесса (температура или толщина) и хорошо соответствуют литературным данным для пленок Sc₂O₃, полученных с применением других методов. Это позволяет успешно использовать систему Sc(MeCp)₃/H₂O для изготовления оптических устройств, если есть потребность в высокой конформности покрытий, большой площади и прецизионном контроле толщины. Модель многофононной ионизации ловушек Насырова-Гриценко хорошо описывает перенос заряда через полученные пленки. Определены параметры ловушки, которые могут быть использованы для последующего сравнения с результатами квантово-химических расчетов и более детального изучения природы ловушек в Sc₂O₃.