В журнале Journal of Materials Chemistry C (ИФ 7.059) опубликована статья с участием сотрудников Института Романенко А.И. и Яковлевой Г.Е.

„Simultaneous enhancement of thermoelectric and mechanical performance for SnTe by nano SiC compositing“, Teng Wang, Hongchao Wang, Wenbin Su, Jinze Zhai, Galina Yakovleva, Xue Wang, Tingting Chen, Anatoly Romanenko, Chunlei Wang. // Journal of Materials Chemistry C, 2020, 8, 7393-7400. DOI: 10.1039/d0tc00572j  Посмотреть статью 

Наночастицы SiC впервые введены в термоэлектрическое соединение SnTe, что привело к одновременному понижению теплопроводности, повышению электропроводности и твердости композита. В результате важнейшая характеристика термоэлектрика добротность ZT увеличена в 1.7 раза по сравнению с чистым SnTe. Основным механизмом наблюдаемых изменений является дизайн границ зерен – при добавлении 1 vol.% SiC создается больше вакансий Sn из-за рассогласования решетки, и, таким образом, характеристики композита улучшаются.