В журнале Surface&Coatings Technology (ИФ 5,3) опубликована статья с участием сотрудников Института Ермаковой Е.Н., Шаяпова В.Р., Максимовского Е.А., Суляевой В.С., Колодина А.Н. и Косиновой М.Л.

"Effect of plasma power on growth process, chemical structure, and properties of PECVD films produced from hexamethyldisilane and ammonia", Evgeniya Ermakova, Vladimir Shayapov, Andrey Saraev, Eugene Maximovsky, Viktor Kirienko, Maksim Khomyakov, Veronica Sulyaeva, Aleksey Kolodin, Evgeny Gerasimov, Marina Kosinova // Surface&Coatings Technology 2024, 490, P. 131131. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2024.131131. Посмотреть статью

Схема синтеза пленок SiCN:H и ПЭМ-анализ отожженной структуры Si/SiCN:H/Cu

Создание барьерных слоев для предотвращения диффузии металла в окружающие материалы интегральных схем является актуальной задачей современной микроэлектроники. В данной работе материал на основе карбонитрида кремния получен методом плазмохимического осаждения из газовой фазы. Установлены корреляции между экспериментальными характеристиками плазмы, составом газовой смеси, а также составом, строением и функциональными свойствами синтезированных слоев. Выявлена высокая устойчивость полученных пленок SiCN:H к диффузии меди в объем слоя, что подтверждено методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ).

Выполнено при финансовой поддержке проекта РНФ № 23-79-00026.