В журнале Nanoscale (ИФ 7.233) опубликована статья с участием сотрудников Института Далматовой С.А., Федоренко А.Д., Мазалова Л.Н., Асанова И.П., Ледневой А.Ю., Тарасенко М.С., Федорова В.Е.

«XPS experimental and DFT investigations of solid solutions Mo1-xRexS2 (0<x<0.20)», Dalmatova S.A., Fedorenko A.D., Mazalov L.N., Asanov I.P., Ledneva A.Yu., Tarasenko M.S., Enyashin A.N., Zaikovskii V.I., Fedorov V.E. // Nanoscale 2018, 10, P. 10232−10240. DOI: 10.1039/C8NR01661E Посмотреть статью

ИНХ СО РАН XPS-DFT

В журнале J. Am. Chem. Soc.  (ИФ 14,357) опубликована статья с участием сотрудников Института Абрамова П.А. и Соколова М.Н.

«Probing Dynamic Library of Metal-Oxo Building Blocks with γ-Cyclodextrin», C. Falaise, M.A. Moussawi, S. Floquet, P.A. Abramov, M.N. Sokolov, M. Haouas, and E. Cadot // J. Am. Chem. Soc., 2018, 140 (36), pp 11198–11201. DOI: 10.1021/jacs.8b07525 Посмотреть статью

ИНХ СО РАН POM-CD

В журнале Chemistry - a European Journal (ИФ 5.16) опубликована статья с участием сотрудников Института: Иванова А.А., Абрамова П.А., Шестопалова М.А., Соколова М.Н., Наумова Н.Г. Брылёва К.А., Миронова Ю.В.; иллюстрация к статье вынесена на обложку журнала.

«Host‐guest binding hierarchy within redox‐ and luminescence responsive supramolecular self‐assembly based on chalcogenide clusters and γ‐cyclodextrin», A.A. Ivanov, C.Falaise, P.A. Abramov, M.A. Shestopalov, K. Kirakci, K. Lang, M.A. Moussawi, M.N. Sokolov, N.G. Naumov, S. Floquet, D. Landy, M. Haouas, K.A. Brylev, Y.V. Mironov, Y. Molard, S. Cordier, E. Cadot // Chem. Eur. J. 2018, V. 24, № 51, pp 13467-13478. DOI: 10.1002/chem.201802102. Посмотреть статью

ИНХ СО РАН clusters and γ‐cyclodextrin

В журнале Advanced Electronic Materials (ИФ 5.466) опубликована статья с участием сотрудников Института Сысоева В.И., Пинакова Д.В., Чеховой Г.Н., Булушевой  Л.Г. и Окотруба А.В.

«Electrical Transport in Devices Based on Edge‐Fluorinated Graphene», Kolesnik-Gray, M.; Sysoev, V. I.; Gollwitzer, S.; Pinakov, D.V.; Chekhova, G.N.; Bulusheva, L.G.; Okotrub, A.V.; Krstić, V. // Adv. Electron. Mater. 2018, 1800073. DOI:10.1002/aelm.201800073 Посмотреть статью 

ИНХ СО РАН Edge‐Fluorinated Graphene

(a) Схематическое изображение устройства, (b) СЭМ-изображение поверхности пленки фторированного графена (ФГ), (c) оптическое изображение монослоев фторированного графена на кремниевой подложке, (d) микрофотография устройства на основе ФГ.