Цикл производства сцинтилляционных элементов на основе кристаллов BGO в ИНХ СО РАН включает синтез исходного сырья, выращивание кристаллов, изготовление элементов и детекторов и их тестирование. Основные процессы, лежащие в основе производства, базируются на собственных разработках Института. В первую очередь — это низкоградиентная технология роста кристаллов, автоматизированная ростовая аппаратура, а также синтез особо чистого оксида висмута. Система контроля всех стадий производственного процесса и тестирование конечной продукции обеспечивает гарантированное качество производимых детекторных элементов.
Основные параметры кристаллов BGO, выращиваемых в ИНХ
Размеры |
диаметр до 130 мм, длина до 450 мм |
---|---|
Энергетическое разрешение |
~9,0—9,8% по γ-излучению с энергией 662 кэВ (137Cs) |
Оптическое пропускание |
Длина поглощения около 7—15 м для λ=480 нм |
Радиационная стойкость |
Деградация светового выхода под действием гамма-радиации дозой 106 рад не более 15—30% |
Уникальная комбинация свойств кристаллов обеспечивают возможность их применения для всего спектра приложений BGO. Кристаллы, экспортируемые Институтом, используются в ведущих научных центрах мира, среди которых Европейское космическое агентство, Окриджская и Лос-Аламосская национальные лаборатории США, канадский ядерный центр TRIUMPF, подземная лаборатория Гран Cacco в Италии, университет Тохоку в Японии и другие.
Регулярным потребителем производимых ИНХ матричных сборок кристаллов BGO для позитронно-эмиссионных медицинских томографов (PET) является корпорация GE Healthcare.
Кристаллы BGO и сцинтиблоки на их основе поставляются российским организациям, занимающимся геологоразведкой, системами обнаружения взрывчатых веществ и промышленной томографией.
Контактная информация
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН,
просп. Ак. Лаврентьева, 3,
Новосибирск, 630090.
Тел/факс: (383) 330 7230
E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. ; Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.