ИН0000 по ГОСТ 10297-94 (In 6N, содержание индия – не менее 99,9999%)

Области применения

Индий используется в ЖК-телевизорах и компьютерных мониторах в виде оксида индия-олова (ITO).

Высокочистый индий также используется в качестве исходного материала в производстве AIIIBV полупроводниковых материалов, таких как: InP, InAs, InSb, InGaAs, InGaAsP. Эти материалы находят применение в ультравысокоэффективных фотогальванических солнечных элементах, инфракрасных детекторах и светодиодах, электронных переключателях. Также индий используется в качестве исходного материала для получения многослойных полупроводниковых устройств с использованием жидкофазной, парофазной или молекулярно-лучевой эпитаксии.

 

Уровень и место практической реализации

В ИНХ СО РАН организовано производство высокочистого индия марки Ин0000 по ГОСТ 10297-94.

Характеристика

Металлические слитки, запаянные в двойные полиэтиленовые мешки.

ИНХ индий высокочистый

 

Плотность [г/см3]

7.30

Температура плавления [ºC]

156.6 °C

Гигроскопичность

отсутствует

Кристаллическая структура

Гранецентрированная тетрагональная:

a = 3.2525 Å;
c = 4.9465 Å

 

 

Содержание примесей (% мас.)

In 99,9999% (6N) 

Примесь

Содержание

Примесь

Содержание

Примесь

Содержание

Ag

<6·10-7

Ga

<6·10-7

Se

<3·10-7

As

<3·10-7

Hg

<4·10-6

Sn

<2·10-6

Al

3·10-6

Mg

<1·10-6

Te

<1·10-6

Bi

<3·10-6

Mn

<1·10-7

Tl

<3·10-6

Cd

<3·10-6

Ni

<1·10-6

Zn

<3·10-7

Cu

<2·10-6

Pb

<2·10-6

   

Fe

2·10-6

S

<1·10-6

   

 

Коммерческие предложения

Минимальный заказ 0,5 кг.
Цена договорная.

 

Контактная информация

Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН,
просп. Ак. Лаврентьева, 3,
Новосибирск, 630090.
Тел.: (383) 330-94-86, +7 (953) 762-11-37
факс: (383) 330-94-89
E-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it., This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

High purity Indium 99.9999% (6N)  

Impurity

Content, ppm

Impurity

Content, ppm

Impurity

Content, ppm

Ag

<0.006

 Fe

0.02

S

<0.1

As

<0.003

Ga

<0.006

Se

<0.003

Al

0.03

Mg

<0.01

Sn

<0.02

Bi

<0.03

Mn

<0.001

Te

<0.01

Cd

<0.03 Ni <0.01 Tl <0.03

Cu

<0.02

Pb

<0.02

Zn <0.003

 

 

High Purity Indium High Purity Indium for:

LCD TVs and computer monitors in the form of indium tin oxide (ITO);

as a starting material in the manufacture of AIIIBV semiconductor materials such as: InP, InAs, InSb, InGaAs, InGaAsP, for infrared detectors and LEDs, ultra-high-efficiency photovoltaic solar cells, electronic switches;

as a starting material for multilayer semiconductor layering using liquid-phase, vapor-phase or molecular beam epitaxy.

  

Contacts

Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS
Acad. Lavrentyev ave., 3, Novosibirsk, Russia, 630090
Phone: (383) 330 9486
E-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.