High purity Indium 99.9999% (6N)  

Impurity

Content, ppm

Impurity

Content, ppm

Impurity

Content, ppm

Ag

<0.006

 Fe

0.02

S

<0.1

As

<0.003

Ga

<0.006

Se

<0.003

Al

0.03

Mg

<0.01

Sn

<0.02

Bi

<0.03

Mn

<0.001

Te

<0.01

Cd

<0.03 Ni <0.01 Tl <0.03

Cu

<0.02

Pb

<0.02

Zn <0.003

 

 

High Purity Indium High Purity Indium for:

LCD TVs and computer monitors in the form of indium tin oxide (ITO);

as a starting material in the manufacture of AIIIBV semiconductor materials such as: InP, InAs, InSb, InGaAs, InGaAsP, for infrared detectors and LEDs, ultra-high-efficiency photovoltaic solar cells, electronic switches;

as a starting material for multilayer semiconductor layering using liquid-phase, vapor-phase or molecular beam epitaxy.

  

Contacts

Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS
Acad. Lavrentyev ave., 3, Novosibirsk, Russia, 630090
Phone: (383) 330 9486
E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.