Академик РАН Фёдор Андреевич Кузнецов

Академик РАН Фёдор Андреевич Кузнецов

Вехи жизни

  • 1955 г. — окончил Ленинградский государственный университет.
  • 1958–1961 гг. — аспирант ИНХ СО РАН.
  • 1961 г. — защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата химических наук по специальности «физическая химия».
  • 1972 г. — защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора химических наук.
  • 1976 г. — присвоено ученое звание профессора по специальности «физическая химия».
  • 1981 г. — присуждена Государственная премия СССР по науке и технике.
  • 1984 г. — избран членом-корреспондентом АН СССР.
  • 1987 г. — избран действительным членом (академиком) АН СССР.
  • Автор более 400 научных трудов, признанный глава научной школы, имеет правительственные награды.
  • 1983–2005 гг. — директор ИНХ СО РАН
  • скоропостижно скончался 4 февраля 2014 г.
Он останется в памяти живых (Ф.А. Кузнецов / Наука в Сибири, №6 от 13.02.2014)

Краткий очерк научной, научно-организационной, педагогической и общественной деятельности

Академик Федор Андреевич Кузнецов — выдающийся физико-химик и материаловед. Он являлся одним из ведущих специалистов в нашей стране и за рубежом в области разработки научных основ создания материалов для микроэлектронной техники, количественных методов анализа неорганических материалов, многокомпонентных систем для выращивания кристаллов и слоев из газовой фазы, теоретических основ и методологии термодинамического моделирования процессов синтеза материалов и структур.

Основные направления научных исследований Ф.А. Кузнецова – разработка физико-химических основ создания материалов и структур с заданными свойствами для микро- и оптоэлектроники, экспериментальное и теоретико-расчетное изучение процессов синтеза и деградации материалов и структур, разработка новых технологических процессов и аппаратуры, материаловедческая информатика. Им развита методология количественного исследования одного из наиболее используемых в микроэлектронной технологии типа процессов – химического осаждения из газовой фазы, обоснована содержательность и развита техника термодинамического моделирования процессов синтеза материалов и структур. Под его руководством проводились обширные исследования взаимосвязи структуры, состава и свойств веществ многослойных структур, составляющих основу элементной базы вычислительной техники, с физическими параметрами.

Ф.А. Кузнецов много сделал для организации и развития информационного обеспечения работ по материаловедению и структурной химии. Под его руководством в Институте создан банк данных свойств материалов электронной техники (СМЭТ), включающий базы термодинамических и структурных данных и комплекс оригинальных программ для проведения моделирования процессов создания материалов и стабильности твердотельных структур.

Характерной особенностью деятельности Ф.А. Кузнецова являлся системный подход: многие результаты оригинальных научных исследований доведены до значимых приложений, по направлениям проводимых исследований организованы долговременные программы сотрудничества разного уровня.

Ф.А. Кузнецов хорошо известен широкой научной общественности в России и за рубежом благодаря своей многогранной научной и научно-организационной деятельности: он являлся председателем научного совета РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, руководителем ряда программ Сибирского отделения РАН по материалам, со-руководителем программы научно-технического сотрудничества России и Индии. Долгое время Ф.А. Кузнецов был активным членом комитета КЕМРОН "Химия для нужд человечества", Международного союза теоретической и прикладной химии, сейчас являлся вице-президентом КОДАТА.

Ф.А. Кузнецов – инициатор организации Азиатско-тихоокеанской академии материалов, долгое время был президентом этой академии. По его инициативе и с активным участием проводились совместные проекты с научными организациями Индии, Китая, Японии, Германии.

Академиком Ф.А. Кузнецовым много сделано для сохранения и развития научно-технического потенциала России в годы перестройки. Возглавляемый им научный совет РАН регулярно проводил конференцию и школу по проблемам кремния – основного материала современной электроники. По общему признанию эти собрания помогли сохранить «кремниевую команду СНГ». По согласованию с академиком Б.Е. Патоном создана секция функциональных материалов в совете по материалам Международной ассоциации академий наук. Эта секция, регулярно работающая с 2008 года – важный фактор кооперации материаловедов России, Украины, Белоруссии и Азербайджана. По инициативе Ф.А. Кузнецова создана межрегиональная программа «Силовая электроника Сибири». Координация работ в области силовой электроники позволила обеспечить рекордно высокие темпы развития этого производства в Сибири.

С 1983 по 2005 год Ф.А.Кузнецов занимал пост директора Института неорганической химии СО РАН, затем советника РАН.

Научно-исследовательскую работу Федор Андреевич всегда сочетал с активной педагогической деятельностью. Он – признанный глава научной школы, до 2005 года заведовал кафедрой в Новосибирском государственном университете. Ф.А. Кузнецов являлся профессором Шеньянского университета химической технологии (Китай), многократно приглашался для чтения лекций в Университет Тохоку (Япония) и Индийский институт технологии в Дели (Индия).

Работы академика Ф.А.Кузнецова отмечены высокими правительственными наградами: Медаль за трудовую доблесть (1975), Госпремия СССР (1981), Орден Знак почета (1986), Орден Дружбы (2007).

Дополнительные ссылки