Академик РАН Фёдор Андреевич Кузнецов

Академик РАН Фёдор Андреевич Кузнецов

12 июля 2012 года исполняется 80 лет академику, лауреату Государственной премии Фёдору Андреевичу Кузнецову.

Академик Фёдор Андреевич Кузнецов – выдающийся физико-химик и материаловед. Он является одним из ведущих специалистов в нашей стране и за рубежом в области разработки научных основ создания материалов для микроэлектронной техники, количественных методов анализа неорганических материалов, многокомпонентных систем для выращивания кристаллов и слоев из газовой фазы, теоретических основ и методологии термодинамического моделирования процессов синтеза материалов и структур.

Основные направления научных исследований Ф.А. Кузнецова – разработка физико-химических основ создания материалов и структур с заданными свойствами для микро- и оптоэлектроники, экспериментальное и теоретико-расчетное изучение процессов синтеза и деградации материалов и структур, разработка новых технологических процессов и аппаратуры, материаловедческая информатика. Им развита методология количественного исследования одного из наиболее используемых в микроэлектронной технологии типа процессов – химического осаждения из газовой фазы, обоснована содержательность и развита техника термодинамического моделирования процессов синтеза материалов и структур. Под его руководством проводятся обширные исследования взаимосвязи структуры, состава и свойств веществ многослойных структур, составляющих основу элементной базы вычислительной техники, с физическими параметрами.

Ф.А. Кузнецов много сделал для организации и развития информационного обеспечения работ по материаловедению и структурной химии. Под его руководством в Институте создан банк данных свойств материалов электронной техники (СМЭТ), включающий базы термодинамических и структурных данных и комплекс оригинальных программ для проведения моделирования процессов создания материалов и стабильности твердотельных структур.

Характерной особенностью деятельности Ф.А. Кузнецова является системный подход: многие результаты оригинальных научных исследований доведены до значимых приложений, по направлениям проводимых исследований организованы долговременные программы сотрудничества разного уровня.

Ф.А. Кузнецов хорошо известен широкой научной общественности в России и за рубежом благодаря своей многогранной научной и научно-организационной деятельности: он является председателем научного совета РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, руководителем ряда программ Сибирского отделения РАН по материалам, со-руководителем программы научно-технического сотрудничества России и Индии. Долгое время Ф.А. Кузнецов был активным членом комитета КЕМРОН "Химия для нужд человечества", Международного союза теоретической и прикладной химии, сейчас является вице-президентом КОДАТА.

Ф.А. Кузнецов – инициатор организации Азиатско-тихоокеанской академии материалов, долгое время был президентом этой академии. По его инициативе и с активным участием проводятся совместные проекты с научными организациями Индии, Китая, Японии, Германии.

Академиком Ф.А. Кузнецовым много сделано для сохранения и развития научно-технического потенциала России в годы перестройки. Возглавляемый им научный совет РАН регулярно проводит конференцию и школу по проблемам кремния – основного материала современной электроники. По общему признанию эти собрания помогли сохранить «кремниевую команду СНГ». По согласованию с академиком Б.Е. Патоном создана секция функциональных материалов в совете по материалам Международной ассоциации академий наук. Эта секция, регулярно работающая с 2008 года – важный фактор кооперации материаловедов России, Украины, Белоруссии и Азербайджана. По инициативе Ф.А. Кузнецова создана межрегиональная программа «Силовая электроника Сибири». Координация работ в области силовой электроники позволила обеспечить рекордно высокие темпы развития этого производства в Сибири.

С 1983 по 2005 год Ф.А.Кузнецов занимал пост директора Института неорганической химии СО РАН, в настоящее время он является советником РАН.

Научно-исследовательскую работу Фёдор Андреевич сочетает с активной педагогической деятельностью. Он – признанный глава научной школы, до 2005 года заведовал кафедрой в Новосибирском государственном университете. Ф.А. Кузнецов является профессором Шеньянского университета химической технологии (Китай), многократно приглашался для чтения лекций в Университет Тохоку (Япония) и Индийский институт технологии в Дели (Индия).

Работы академика Ф.А.Кузнецова отмечены высокими правительственными наградами: Медаль за трудовую доблесть (1975), Госпремия СССР (1981), Орден Знак почета (1986), Орден Дружбы (2007).

Поздравляем Зевак Екатерину Геннадьевну c получением гранта поддержки молодых ученых ведущих высших учебных заведений и научных исследовательских центров в рамках IV конкурса компании ОПТЕК!

Проект «Дизайн фармацевтических субстанций с использованием крио-нанотехнологий» (н.с., к.б.н. Огиенко А.А., Мызь С.А, Зевак Е.Г. (аспирант ИНХ СО РАН) получил поддержку в рамках IV конкурса компании ОПТЕК на соискание грантов поддержки молодых ученых ведущих высших учебных заведений и научных исследовательских центров. Работа группы посвящена созданию высокоэффективных лекарственных форм широко используемого анальгетика ибупрофена, с использованием сублимационной сушки замороженных растворов в системах с клатратообразованием.

В этом году всего на конкурс было подано 370 заявок, 268 работ допущено к рассмотрению. По итогам оценок экспертного совета выбрано 96 победителей в 7 номинациях. Проект получил самую высокую оценку в направлении «Нанотехнологии».

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН объявляет об отмене конкурсов на замещение должностей:

  1. научного сотрудника по специальности 02.00.01 (неорганическая химия) в Лаборатории химии полиядерных металл-органических соединений (1 вакансия ).
  2. научного сотрудника по специальности 02.00.01 (неорганическая химия) в Лаборатории химии кластерных и супрамолекулярных соединений (1 вакансия ).
  3. научного сотрудника по специальности 02.00.04 (физическая химия) в Лаборатории роста кристаллов (1 вакансия ).

Объявление о конкурсе было опубликовано в № 16 от 19 апреля 2012 года еженедельника «Наука в Сибири» и на сайте ИНХ СО РАН.

Заявления о приеме в аспирантуру (для выпускников ВУЗов текущего года (юношей)) принимаются в Отделе аспирантуры (к. 331 (II), т. 53-88 (330-92-56)) до 10 июня 2012 г.

Заявления пишутся на имя директора Института. В заявлении должно быть указано:

  1. Фамилия, имя, отчество, должность, место работы, телефон.
  2. Специальность (номенклатура) по диссертационной работе:
    • 02.00.01 – неорганическая химия
    • 02.00.02 – аналитическая химия
    • 02.00.04 – физическая химия

К заявлению прилагаются:

  1. Копии диплома о высшем образовании и приложения к нему (если есть).
  2. Список опубликованных научных работ, включая тезисы конференций (если имеются).
  3. Удостоверения о сдаче кандидатских экзаменов (если сданы).
  4. 2 фотографии.
  5. Копия паспорта (1 стр. и стр. с пропиской) и пенсионного удостоверения.

Заявление визируется будущим научным руководителем и зав. лабораторией.

Вступительные экзамены (специальность – «общая химия» или «общая физика», иностранный язык, философия) будут проходить с 15 июня 2012 г.

Информация о правилах приема в аспирантуру, программы вступительных экзаменов, бланк заявления размещены на сайте института в разделе образование/отдел аспирантуры/правила приема.