- Информация о материале
В журнале Nano Research (ИФ 7.994) опубликована статья с участием сотрудников Института И.С. Меренкова, Р.В. Пушкарева и М.Л. Косиновой.
«Orientation-controlled, low-temperature plasma growth and applications of h-BN nanosheets», I.S. Merenkov, M.S. Myshenkov, Y.M. Zhukov, Y. Sato, T.S. Frolova, D.V. Danilov, I.A. Kasatkin, O.S. Medvedev, R.V. Pushkarev, O.I. Sinitsyna, M. Terauchi, I.A. Zvereva, M.L. Kosinova, K. Ostrikov // Nano Research. 2018. DOI: 10.1007/s12274-018-2185-7 Посмотреть статью
- Информация о материале
В журнале Advanced Electronic Materials (ИФ 5.466) опубликована статья с участием сотрудников Института Сысоева В.И., Пинакова Д.В., Чеховой Г.Н., Булушевой Л.Г. и Окотруба А.В.
«Electrical Transport in Devices Based on Edge‐Fluorinated Graphene», Kolesnik-Gray, M.; Sysoev, V. I.; Gollwitzer, S.; Pinakov, D.V.; Chekhova, G.N.; Bulusheva, L.G.; Okotrub, A.V.; Krstić, V. // Adv. Electron. Mater. 2018, 1800073. DOI:10.1002/aelm.201800073 Посмотреть статью
(a) Схематическое изображение устройства, (b) СЭМ-изображение поверхности пленки фторированного графена (ФГ), (c) оптическое изображение монослоев фторированного графена на кремниевой подложке, (d) микрофотография устройства на основе ФГ.
- Информация о материале
В журнале Applied Physics Letters (ИФ 3,495) опубликована статья с участием сотрудника Института Яковкиной Л.В., иллюстрация к статье вынесена на обложку журнала.
«Growth of ordered arrays of vertical free-standing VO2 nanowires on nanoimprinted Si», S. V. Mutilin, V. Ya. Prinz, V. A. Seleznev, L. V. Yakovkina // Appl. Phys. Lett. 113, 043101 (2018). DOI: 10.1063/1.5031075. Посмотреть статью
SEM изображение упорядоченных массивов нанопроволок VO2, выросших на наноимпринтированных подложках Si. Верхняя левая вставка – HR TEM изображение нанопроволок, верхняя правая вставка - SAED иллюстрирующий формирование моноклинной структуры VO2
В последние годы синтез и изучение монокристаллических нанопроволок VO2 привлекли большой интерес исследователей. Это обусловлено уникальными свойствами данного материала, связанными с однодоменным фазовым переходом полупроводник-диэлектрик, происходящим в нем при температуре, близкой к комнатной. Хотя монокристаллические нанопроволоки предполагают много возможностей для практических применений, недостатки технологии их получения не позволяли развить массовое производство приборов и материалов, основанных на VO2. Периодические вертикальностоящие нанопроволоки VO2 были получены на подложках наноимпринтированного кремния в процессе химического осаждения из газовой фазы (CVD) с использованием в качестве предшественников ацетилацетоната ванадила и кислорода. Высокое качество полученных нанопроволок подтверждается резким скачком проводимости при фазовом переходе, достигающим 4-х порядков, и данными электронной дифракции, указывающими на монокристаллическую структуру.
- Информация о материале
28 августа в 10-00 в конференц-зале Института состоится научно-технический семинар, проводимый представителями компании ООО "ЭлекТрейд-М" – “Оборудование, компоненты и материалы для нанесения тонкопленочных покрытий”.
 Программа семинара |
© ИНХ СО РАН 1998 – 2024 г.