руководитель контрактной службы | Бахтуров Андрей Сергеевич | 55-83 |
330-99-03 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
254(всп.) |
Ведущий юрисконсульт | Круглякова Валерия Владимировна | 55-94 |
330-81-42 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
254(всп.) |
Лаборатория создана в рамках реализации национального проекта «Наука и университеты» (по итогам отбора заявок на создание новых лабораторий в контексте результата «Созданы новые лаборатории, в том числе под руководством молодых перспективных исследователей» федерального проекта «Развитие человеческого капитала в интересах регионов, отраслей и сектора исследований и разработок» национального проекта «Наука и университеты»).
Лаборатория создана приказом Института от 02.11.2022, № 15325-225-ОД.
В лаборатории проводится синтез и изучение термических свойств высокочистых металлорганических соединений, эффективных в процессах атомно-слоевого и химического газофазного осаждения функциональных слоев для микроэлектроники.
Актуальность Направление исследований Задачи исследований Сотрудничество Результаты Публикации Работа с молодежью Преподавание В зеркале прессы
Сотрудники
Заведующий лабораторией | к.х.н. Викулова Евгения Сергеевна | 55-33 | 330-95-56 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
302(I) |
Материально-ответственный | Назарова Анна Александровна | 53-21, 55-16 | 330-92-59 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
115(II), 229(II) |
Волчек Виктория Викторовна | 55-56 | 330-12-59 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
311(II) | |
к.х.н. Доровских Светлана Игоревна | 55-98 | 330-95-56 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
314(I) | |
к.х.н. Ильин Игорь Юрьевич | 55-71 | 330-95-56 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
105(I) | |
Ильдяков Андрей Вячеславович | 59-29 | 330-95-56 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
103(I) | |
к.х.н. Лебедев Михаил Сергеевич | 53-91 | 330-96-05 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
206 (II) | |
д.х.н. Морозова Наталья Борисовна | 55-24 | 330-95-56 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
304(I) | |
Петухова Дарья Евгеньевна | 53-91, 55-71 | 330-96-05 Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. |
206(II), 105(I) | |
Рихтер Эрик Алексеюсович | 55-33 | Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript. | 302(I) |
Актуальность исследований лаборатории
Тонкие пленки high-k диэлектриков (MO2, M = Hf, Zr, Ti) и металлов (Cu, Ru, Co), получаемые методами атомного-слоевого (АСО) или химического газофазного (ХОГФ) осаждения, практически безальтернативны при изготовлении востребованных устройств компонентной базы микроэлектроники: микропроцессоров, в основе которых лежат КМОП транзисторы, выполненные по технологии HkMG, FinFET или GAA, и элементов энергонезависимой памяти новых типов (сегнетоэлектрическая, резистивная).
Для осаждения таких функциональных материалов требуются летучие металлорганические соединения-прекурсоры (МОС), обладающие определенным набором химических и термических свойств и соответствующие критериям чистоты для микроэлектронной техники (5-6N). Поскольку прекурсоры требуемого качества сейчас импортного производства, разработка подходов к синтезу и глубокой очистке целевых МОС является необходимым этапом для реализации отечественных производственных цепочек компонентой базы устройств и обеспечения технологического суверенитета Российской Федерации.
Направление исследований лаборатории
Синтез высокочистых металлорганических соединений (MOC) и исследование их термохимических свойств для осаждения оксидных и металлических слоев в структурах элементов микроэлектроники
Индустриальным партнером лаборатории (2022-2024) является АО «НИИ молекулярной электроники» (АО «НИИМЭ», науч. рук. акад. РАН Г.Я. Красников) – ведущий российский научно-исследовательский центр по проведению научно-технологических исследований в области микро- и наноэлектроники, разработке и производству полупроводниковых изделий, головное предприятие приоритетного технологического направления «Электронные технологии» Российской Федерации.
Результаты 2022 г:
Результаты 2023 г:
Планы на 2024 год:
1) Петухова Д.Е., Сартакова А.В., Сухих Т.С., Афонин М.Ю., Сысоев С.В., Викулова Е.С. Строение и термические свойства трис-(метилциклопентадиенил)скандия // Журн. Структур. Химии, 2023, Т. 64(12), 123233.
2) Викулова Е.С., Черемных К.П., Виноградова А.А., Сухих А.С., Доровских С.И., Ильин И.Ю., Пищур Д.П., Морозова Н.Б. N-Метоксибензамидат циркония (IV) vs. N-Метоксибензамид: синтез, кристаллическая структура и фазовые превращения // Журн. Структур. Химии. 2024. T. 65(8). 130705.
3) Kochelakov D.V., Vikulova E.S., Kuratieva N.V., Korolkov I.V. Potassium and Cesium Fluorinated β-Diketonates: Effect of a Cation and Terminal Substituent on Structural and Thermal Properties // Molecules. 2023. V. 28(15). 5886.
К выполнению задач лаборатории привлечены:
аспиранты ИНХ СО РАН
студенты ФЕН НГУ:
студенты МТФ НГУ:
Преподавательская деятельность
Викулова Е.С. (старший преподаватель каф. Химии СУНЦ НГУ)
Научный (со)руководитель (2022-2024):
Доровских С.И. (старший преподаватель каф. физической химии ФЕН НГУ).
Научный руководитель (2022-2024) выпускных квалификационных работ бакалавров (1*ФЕН НГУ, 1*МТФ НГТУ)
Рихтер Э.А. (преподаватель летней школы СУНЦ НГУ)
Сибирские ученые получают высокочистые соединения для микроэлектроники (nsc.ru)
© ИНХ СО РАН 1998 – 2024 г.