К.А. Брылев, д.х.н., проф. РАН, Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия (со-председатель)

А.А. Малыгин, д.х.н., проф., Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет), Санкт-Петербург, Россия (со-председатель)

Е.С. Викулова, к.х.н., Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия (учёный секретарь)

М.С. Лебедев, к.х.н., Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия (учёный секретарь)

В.Ю. Васильев, д.х.н., проф., Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия

А.М. Маркеев, д.т.н., Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Россия

К.В. Руденко, д.ф.-м.н., Физико-технологический институт имени К.А. Валиева, РАН, Москва, Россия

И.М. Абдулагатов, д.ф.-м.н., Дагестанский государственный университет, г. Махачкала, Россия

В.А. Быков, д.т.н., проф., ООО «НТ-МДТ Спектрум Инструментс», Зеленоград, Россия

В.А. Гриценко, д.ф.-м.н., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

А.С. Гудовских, д.ф.-м.н., Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия

И.К. Игуменов, д.х.н., Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия

Д.Р. Исламов, к.ф.-м.н., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Г.В. Лисичкин, д.х.н., проф., Московский государственный университет, Москва, Россия

Ю.С. Кольцов, к.х.н., Специальное конструкторско-технологическое бюро Кольцова, Санкт-Петербург, Россия

М.Ю. Максимов, д.т.н., доц., Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

А.А. Малков, к.х.н., доц., Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет), Санкт-Петербург, Россия

Д.В. Назаров, к.х.н., Санкт-Петербургский государственный университет, г. Санкт-Петербург, Россия

А.А. Резванов, к.ф.-м.н., Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, г. Зеленоград, Москва, Россия

А.А. Рычков, д.ф.-м.н., проф., Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

В.И. Сачков, д.х.н., доц., Томский государственный университет, Инжиниринговый центр технологий высокочистых веществ и материалов для микроэлектроники, Томск, Россия

В.А. Селезнёв, к.ф.-м.н., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Е.А. Соснов, к.х.н., доц., Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет), Санкт-Петербург, Россия

Е.В. Фёдорова, директор ООО "СибКонгресс"

A.I. Abdulagatov, Ph.D., University of Colorado Boulder, Denver, United States

M. Knez, Ph. D., Prof., CIC nanoGUNE, San Sebastián, Spain

Rong Chen, Ph.D., Prof., Huazhong University of Science and Technology, China

G.N. Parsons, Ph. D., Prof., North Carolina State University, Raleigh, United States