| Организационный взнос | |
| Ранняя оплата | 20 июля 2026 |
| Крайний срок оплаты | 31 августа 2026 |
| Для исследователей, работающих в странах СНГ | |
| Стандартный взнос | 10000 руб. |
| Для аспирантов и молодых ученых* | 5000 руб. |
| Для студентов ВУЗов | 3000 руб. |
| Взнос при ранней оплате | 8000 руб. |
| Для исследователей, работающих в других странах | |
| Стандартный взнос | 300 евро |
| Взнос при ранней оплате | 240 евро |
| *до 35 лет включительно | |
|
К.А. Брылев, д.х.н., проф. РАН, Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия (со-председатель) А.А. Малыгин, д.х.н., проф., Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет), Санкт-Петербург, Россия (со-председатель) Е.С. Викулова, к.х.н., Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия (учёный секретарь) М.С. Лебедев, к.х.н., Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия (учёный секретарь) В.Ю. Васильев, д.х.н., проф., Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия А.М. Маркеев, д.т.н., Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Россия К.В. Руденко, д.ф.-м.н., Физико-технологический институт имени К.А. Валиева, РАН, Москва, Россия И.М. Абдулагатов, д.ф.-м.н., Дагестанский государственный университет, г. Махачкала, Россия В. А. Быков, д.т.н., проф., ООО «НТ-МДТ Спектрум Инструментс», Зеленоград, Россия В.А. Гриценко, д.ф.-м.н., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия А.С. Гудовских, д.ф.-м.н., Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия И.К. Игуменов, д.х.н., Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия Д.Р. Исламов, к.ф.-м.н., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия Г.В. Лисичкин, д.х.н., проф., Московский государственный университет, Москва, Россия |
Ю.С. Кольцов, к.х.н., Специальное конструкторско-технологическое бюро Кольцова, Санкт-Петербург, Россия М.Ю. Максимов, д.т.н., доц., Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия А.А. Малков, к.х.н., доц., Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет), Санкт-Петербург, Россия Д.В. Назаров, к.х.н., Санкт-Петербургский государственный университет, г. Санкт-Петербург, Россия А.А. Резванов, к.ф.-м.н., Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, г. Зеленоград, Москва, Россия А.А. Рычков, д.ф.-м.н., проф., Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия В.И. Сачков, д.х.н., доц., Томский государственный университет, Инжиниринговый центр технологий высокочистых веществ и материалов для микроэлектроники, Томск, Россия В.А. Селезнёв, к.ф.-м.н., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия Е.А. Соснов, к.х.н., доц., Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет), Санкт-Петербург, Россия |
|
| Международный Организационный комитет | ||
|
A.I. Abdulagatov, Ph.D., University of Colorado Boulder, Denver, United States M. Knez, Ph. D., Prof., CIC nanoGUNE, San Sebastián, Spain Rong Chen, Ph.D., Prof., Huazhong University of Science and Technology, China G.N. Parsons, Ph. D., Prof., North Carolina State University, Raleigh, United States |
|
Konstantin A. Brylev, Dr. Sci. (Chem.), Prof. RAS, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Novosibirsk, Russia (Co-Chair) Anatolii A. Malygin, Dr. Sci. (Chem.), Prof., Saint Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia (Co-Chair) Evgeniia S. Vikulova, PhD (Chem.), Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Novosibirsk, Russia (Scientific Secretary) Mikhail S. Lebedev, PhD (Chem.), Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Novosibirsk, Russia (Scientific Secretary) Vladislav Yu. Vasilyev, Dr. Sci. (Chem.), Prof., Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia Andrey M. Markeev, Dr. Sci. (Eng.), Moscow Institute of Physics and Technology (National Research University), Dolgoprudny, Russia Konstantin V. Rudenko, Dr. Sci. (Phys.-Math.), Valiev Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia Ilmutdin M. Abdulagatov, Dr. Sci. (Phys.-Math.), Dagestan State University, Makhachkala, Russia Viktor A. Bykov, Dr. Sci. (Eng.), Prof., NT-MDT Spectrum Instruments LLC, Zelenograd, Russia Vladimir A. Gritsenko, Dr. Sci. (Phys.-Math.), Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Novosibirsk, Russia A.S. Gudovskikh, Dr. Sci. (Phys.-Math.), Alferov University (Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences), St. Petersburg, Russia Igor K. Igumenov, Dr. Sci. (Chem.), Prof., Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Novosibirsk, Russia Damir R. Islamov, PhD (Phys.-Math.), Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Novosibirsk, Russia |
Georgii V. Lisichkin, Dr. Sci. (Chem.), Prof., Moscow State University, Moscow, Russia Yuri S. Koltsov, PhD (Chem.), Koltsov Special Design and Technology Bureau, St. Petersburg, Russia Maxim Yu. Maximov, Dr. Sci. (Eng.), Associate Professor, Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia Anatoly A. Malkov, PhD (Chem.), Associate Professor, Saint Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia Denis V. Nazarov, PhD (Chem.), Saint Petersburg State University, St. Petersburg, Russia Askar A. Rezvanov, PhD (Phys.-Math.), Molecular Electronics Research Institute , Zelenograd, Moscow, Russia Andrey A. Rychkov, Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., The Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia Viktor I. Sachkov, Dr. Sci. (Chem.), Associate Professor, Tomsk State University, Engineering Center of High-Purity Substances and Materials Technologies for Microelectronics, Tomsk, Russia Vladimir A. Seleznev, PhD (Phys.-Math.), Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Novosibirsk, Russia Eugene A. Sosnov, PhD (Chem.), Associate Professor, Saint Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia |
|
| International Organizing Committee | ||
|
Aziz I. Abdulagatov, Ph.D., University of Colorado Boulder, Denver, United States Mato Knez, Ph. D., Prof., CIC nanoGUNE, San Sebastián, Spain Rong Chen, Ph.D., Prof., Huazhong University of Science and Technology, China Gregory N. Parsons, Ph.D., Prof., North Carolina State University, Raleigh, United States |
![]() |
||||
|
Registration on the website Abstract Submission Payment deadline |
||||
© ИНХ СО РАН 1998 – 2026 г.