В журнале Applied Physics Letters (ИФ 3,495) опубликована статья с участием сотрудника Института Яковкиной Л.В., иллюстрация к статье вынесена на обложку журнала.
«Growth of ordered arrays of vertical free-standing VO2 nanowires on nanoimprinted Si», S. V. Mutilin, V. Ya. Prinz, V. A. Seleznev, L. V. Yakovkina // Appl. Phys. Lett. 113, 043101 (2018). DOI: 10.1063/1.5031075. Посмотреть статью
SEM изображение упорядоченных массивов нанопроволок VO2, выросших на наноимпринтированных подложках Si. Верхняя левая вставка – HR TEM изображение нанопроволок, верхняя правая вставка - SAED иллюстрирующий формирование моноклинной структуры VO2
В последние годы синтез и изучение монокристаллических нанопроволок VO2 привлекли большой интерес исследователей. Это обусловлено уникальными свойствами данного материала, связанными с однодоменным фазовым переходом полупроводник-диэлектрик, происходящим в нем при температуре, близкой к комнатной. Хотя монокристаллические нанопроволоки предполагают много возможностей для практических применений, недостатки технологии их получения не позволяли развить массовое производство приборов и материалов, основанных на VO2. Периодические вертикальностоящие нанопроволоки VO2 были получены на подложках наноимпринтированного кремния в процессе химического осаждения из газовой фазы (CVD) с использованием в качестве предшественников ацетилацетоната ванадила и кислорода. Высокое качество полученных нанопроволок подтверждается резким скачком проводимости при фазовом переходе, достигающим 4-х порядков, и данными электронной дифракции, указывающими на монокристаллическую структуру.