ИН0000 по ГОСТ 10297-94 (In 6N, содержание индия – не менее 99,9999%)

Области применения

Индий используется в ЖК-телевизорах и компьютерных мониторах в виде оксида индия-олова (ITO).

Высокочистый индий также используется в качестве исходного материала в производстве A^IIIB^V полупроводниковых материалов, таких как: InP, InAs, InSb, InGaAs, InGaAsP. Эти материалы находят применение в ультравысокоэффективных фотогальванических солнечных элементах, инфракрасных детекторах и светодиодах, электронных переключателях. Также индий используется в качестве исходного материала для получения многослойных полупроводниковых устройств с использованием жидкофазной, парофазной или молекулярно-лучевой эпитаксии.

 

Уровень и место практической реализации

В ИНХ СО РАН организовано производство высокочистого индия марки Ин0000 по ГОСТ 10297-94.

Характеристика

Металлические слитки, запаянные в двойные полиэтиленовые мешки.

Плотность [г/см3] 7.30 Температура плавления [ºC] 156.6 °C Гигроскопичность отсутствует Кристаллическая структура Гранецентрированная тетрагональная: a = 3.2525 Å; c = 4.9465 Å

 

Содержание примесей (% мас.)

In 99,9999% (6N) 

Примесь	Содержание	Примесь	Содержание	Примесь	Содержание
Ag	<6·10-7	Ga	<6·10-7	Se	<3·10-7
As	<3·10-7	Hg	<4·10-6	Sn	<2·10-6
Al	3·10-6	Mg	<1·10-6	Te	<1·10-6
Bi	<3·10-6	Mn	<1·10-7	Tl	<3·10-6
Cd	<3·10-6	Ni	<1·10-6	Zn	<3·10-7
Cu	<2·10-6	Pb	<2·10-6
Fe	2·10-6	S	<1·10-6

 

Коммерческие предложения

Минимальный заказ 0,5 кг.
Цена договорная.

 

Контактная информация

Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН,
просп. Ак. Лаврентьева, 3,
Новосибирск, 630090.
Тел.: (383) 330-94-86, +7 (953) 762-11-37
факс: (383) 330-94-89
E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript., Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.