Участники семинара

В Сибирском отделении РАН этой тематикой занимаются основательно и серьезно, демонстрируя яркие примеры, весомые результаты и вдохновляющие перспективы. В решение проблем технологии CVD вовлечены многие институты СО РАН. И как отметил, приветствуя участников семинара, заместитель директора ИНХ Н.В. Гельфонд, есть возможность обсудить здесь ход работ, поделиться идеями, что, несомненно, будет способствовать продвижению вперед.

В водную лекцию «Системный подход к развитию программы исследований технологии МО СVD в СО РАН» прочитал академик Ф.А. Кузнецов.

Отмеченный в последние десятилетия стремительный прогресс техники в значительной мере связан с появлением и развитием новых технологий получения материалов. И особое место среди них занимают способы формирования материалов и структур из газовой фазы — CVD. Наиболее зримо возможности CVD проявились в прогрессе твердотельной электроники. Технология основного материала — полупроводникового кремния, равно как и технология кремниевых интегральных схем, невозможна без приме нения процессов CVD. Это относится и к технологии создания многих других устройств на основе полупроводников. Начиная с 50-х годов прошлого столетия, электроника развивалась темпами, ранее не наблюдавшимися ни в какой другой области человеческой деятельности: количество приборов в интегральных схемах выросло с единиц до многих миллиардов.

Прогресс в понимании связи состояния материала с его функциональными характеристиками, обусловленный развитием полупроводникового материаловедения (методов глубокой очистки веществ, созданием кристаллических структур высокого совершенства, разработкой методов и приборов определения состояния материала на атомном уровне), послужил одним из главных факторов, позволивших сформулировать задачи применения нанотехнологии в разных областях.

В электронике эра нанотехнологии уже началась. Промышленно выпускаемые интегральные схемы имеют «проектные нормы» 20—50 нанометров. И прогресс не остановлен. Появилась, правда, необходимостьсущественно дополнять набор используемых материалов и технологий.

Так, до недавнего времени набор исходных веществ в используемых в электронике CVD технологиях ограничивался летучими галогенидами и гидридами элементов. Сейчас разрабатываются процессы с использованием сложных летучих соединений различных классов.

Химики подготовили большой набор летучих соединений различных классов — координационные, элементоорганические, которые могут стать исходными веществами в CVD технологиях нового поколения. Речь идет не только об электронике, но и о многих других приложениях нанотехнологий.

Программа проведенного семинара демонстрирует значительные успехи, достигнутые коллективами институтов СО РАН в изучении процессов CVD.

Проводимые работы включают дизайн и поиск соединений, пригодных для применения в качестве предшественников в CVD процессах, проведение исследования физико-химических свойств соединений предшественников (термодинамики, механизмов и кинетики превращений), разработку процессов образования требуемых фаз и структур на их основе, исследование синтезируемых слоёв, структур и определение областей их применения, совершенствование на основе полученной информации аппаратуры и определение режимов синтеза в применении к
практическому приложению технологии CVD.

Согласно программе на семинаре работали сессии: фундаментальные основы процессов CVD (химия газовой фазы и поверхности, механизмы реакций, кинетика, моделирование, взаимосвязь структуры и свойств), новые исходные вещества для процессов CVD: синтез, очистка и характеризация, новые направления в развитии технологии CVD (активированные процессы, плазмостимулированные, ALD, гибридные технологии и др.), новые материалы и сложные структуры, полученные в процессах CVD (однородные и градиентные слои, структуры различной архитектуры: нанотрубы, нанонити, нанокомпозиты, наночастицы и квантовые точки).

Участники семинара убеждены, что настало время добавить к системному изучению процессов CVD проекты по приложению этой технологии в важнейших областях техники; электронике, оптике, солнечной энергетике, микромеханике, различных других областях приборостроения.

У институтов СО РАН, работающих в контакте со многими исследовательскими организациями страны и многими зарубежными партнерами, накоплен богатый опыт и есть возможность формулировки крупной программы по применению технологий CVD в промышленности.

В семинаре приняли участие не только «научно исследовательские силы», но и представители промышленности.

Л. Юдина, «НВС»

Фото В.Новикова

«Наука в Сибири», № 24 (2809) от 16 июня 2011 г., стр. 1–2

Версия для печати, постоянный адрес статьи http://www.sbras.ru/HBC/number.phtml?id=596