Наука в Сибири
N 41 (2626)
25 октября 2007 г.

ЭТО НАШЕЙ ИСТОРИИ СТРОКИ…

В начале октября Институт неорганической химии СО РАН, созданный в Сибирском отделении одним из первых, отметил свое пятидесятилетие.

Л. Юдина, «НВС»

Судьбы учреждений, и больших, и малых, во многом сходны с судьбами людскими. И множество составляющих должно сложиться воедино, чтобы путь вперед был успешным и счастливым, и каждый год прибавлял опыта, успехов, авторитета.

ИНХовцы наращивали потенциал стремительно, и очень скоро о них заговорили — сначала в границах страны, а потом и за ее пределами. Причем, надо отметить особо, не было в жизни коллектива «провальных» годов, и даже в смутное для науки время, когда так случилось, что в стране ее авторитет упал почти до нуля, ИНХовцы выстояли, работали, не снижая темпа, добивались весомых результатов.

Иллюстрация

 

В чем же кроется секрет успехов? Вот об этом и расскажет директор Института неорганической химии доктор химических наук Владимир Петрович Федин.

— Начнем с того, что все те, кто начинали здесь науку 50 лет назад, получили мощнейший импульс, заряд энергии, которая не иссякла за многие годы. Потом — удивительные качества людей, которые возглавили дело. Об Анатолии Васильевиче Николаеве, который был директором-организатором нашего института, старожилы и сегодня вспоминают с почтением и любовью. Прекрасный человек, выдающийся ученый, он был еще и мудрым учителем и воспитал множество учеников, преданных науке и родному институту.

Залогом многих успехов послужил прежде всего именно тот факт, что в ИНХе сформировался крепкий, трудолюбивый коллектив.

— Институт сразу создавался как многопрофильный?

Особенность ИНХа в том, что он всегда был готов ответить на вызов времени, при необходимости перестроить работу и проводить широким фронтом исследования в наиболее актуальных областях неорганической химии.

В отчете института о результатах научной деятельности за 1958-1959 годы написано, что в качестве основных направлений исследования выбраны: теория химического строения, кинетики и реакционной способности; кристаллохимия неорганических веществ; изучение методов и путей получения веществ высокой чистоты; комплексные соединения и их использование в новой технике.

Иллюстрация

Так начиналось Сибирское отделение. Одна из страниц его истории. 1962 год. На первой выставке научных достижений СО АН директор Института неорганической химии член-корреспондент АН СССР В. Николаев у стенда ИНХа рассказывает Генеральному секретарю ЦК КПСС Н.С. Хрущеву о достижениях ученых. Справа — академик М. А. Лаврентьев и председатель Совета министров РСФСР  Д. С. Полянский.

Через пять лет основной задачей института стали исследования в области химии полупроводников и сверхчистых веществ. Для обеспечения работ по новой тематике была изменена и структура института. Позднее появились новые задачи, которые ИНХ осваивал не менее успешно.

— Какие проблемы сегодня решает коллектив, и что служит свидетельством признания его заслуг?

— Круг задач достаточно широк: химия неорганических соединений, в том числе координационных, кластерных и супрамолекулярных; химическая термодинамика неорганических систем; кристаллохимия и электронное строение неорганических веществ; физико-химические основы процессов разделения и очистки веществ; физикохимия и технология функциональных материалов. Создано и успешно развивается новое научное направление — изучение электронного строения веществ на основе рентгеновской и рентгеноэлектронной спектроскопии. В 1989 году за разработку теории, методов и приборов для рентгеноспектральных исследований в химической связи профессору Л. Н. Мазалову была присуждена Государственная премия РСФСР.

Хорошо известны в России и за рубежом работы лаборатории кристаллохимии. Лаборатория оснащена современным оборудованием, что позволяет проводить рентгеноструктурные исследования на самом современном уровне. В 2000 году Президиум РАН присудил премию РАН имени Е. С. Федорова члену-корреспонденту РАН Г. Б. Бокию (основателю лаборатории) и главному научному сотруднику института д.ф.-м.н. С. В. Борисову за цикл работ «Систематика природных силикатов и оксидов и законы структурообразования в неорганических соединениях».

В институте выполняются структурные исследования твердого тела методами ЯМР. За разработку квантово-химических и радиоспектроскопических методов в химии твердого тела доктора физико-математических наук С. П. Габуда и Н.К. Мороз удостоены Государственной премии РФ 1995 года в области науки и техники.

Основой современной химии остается направленный синтез новых классов химических соединений. Пионерские работы по синтезу гетероспиновых комплексов переходных металлов с нитроксильными стабильными радикалами, выполненные под руководством профессора С. В. Ларионова, вошли в цикл работ «Нитроксильные радикалы имидазолина», за который была присуждена Государственная премия РФ 1994 года в области науки и техники.

Признанием существенного вклада в магнетохимические исследования, направленные на определение особенностей электронной структуры сложных соединений с развитой системой обменных взаимодействий, стало присуждение Государственной премии РФ в области науки и техники 2003 года в составе группы авторов д.х.н. В. Н. Икорскому за работу «Полиядерные соединения: молекулярные магнетики и катализ».

— Владимир Петрович, наверное, и сегодня в Институте неорганической химии работает много преданных науке, талантливых людей?

— Хочу отметить, что ИНХ никогда не испытывал большого оттока кадров. Как правило те, кто переступали его порог, оставались в коллективе на многие и многие годы, не стремились в другие структуры. На руководящие должности тоже «взращивали» своих.

С 1983 по 2005 гг. институт возглавлял академик Федор Андреевич Кузнецов, который не только содействовал подъему на новую ступень развитых в институте направлений, но активно участвовал в становлении работ по электронному материаловедению и химической информатике. Значительным вкладом в мировую науку стала разработка под руководством ученого процессов создания материалов и покрытий с использованием химического осаждения из газовой фазы, оптимизация роста кристаллических слоев полупроводниковых материалов и диэлектриков. Результаты этой работы были отмечены Государственной премии СССР. Ф. А. Кузнецовым создана активно работающая научная школа, которая в современных условиях решает фундаментальные задачи получения различных функциональных материалов: от материалов для силовой электроники до нового поколения наноматериалов.

— Как решаются в институте молодежные проблемы.

— ИНХ очень много делает, чтобы привлечь молодых, чтобы они чувствовали себя в институте комфортно. За последние годы в ИНХ пришло немало студентов, аспирантов, молодых научных сотрудников. Это целеустремленные, хорошо образованные сотрудники, которые, я уверен, способны развить исследования, начатые более старшими коллегами, и, самое главное, создать новые оригинальные направления в неорганической химии. Будущее института в руках молодых.

— Один из показателей активной и производительной работы ученых — публикации. Как институт представляет эту сферу деятельности?

— Приведу некоторые показатели деятельности института, основанные на известной электронной базе данных ISI Web of Knowledge (данные на июнь 2007 года). За период с 1976 года сотрудниками института опубликовано 4329 статей. Отмечу, что реальное их число выше, т.к. не все российские журналы попадают в эту базу данных. Важный показатель научной активности и важности опубликованных работ — цитирование. За последние годы работы сотрудников института, опубликованные начиная с 1976 года, активно цитируются в мировой литературе (более 1400 цитирований в 2005 и 2006 годах). В последние годы для характеристики научной активности все чаще используется так называемый h-индекс. По данным ISI Web of Knowledge h-индекс работ, опубликованных ИНХ СО РАН, равен 32. Это неплохой показатель, который говорит о том, что фундаментальные исследования ИНХовцев востребованы.

Иллюстрация

Профессора института И.Е. Пауков, В.Е. Федоров и В.Г. Торгов обсуждают доклады Николаевских чтений.

— Как прошло празднование 50-летия института?

— На высоком научном уровне. Были проведены XV конференция имени академика А. В. Николаева и ежегодный конкурс-конференция научно-исследовательских работ молодых ученых. Ученый совет института заслушал 20 докладов молодых ученых. Можно с удовольствием отметить высокий уровень всех доложенных работ и прекрасное иллюстративное оформление докладов. Молодые участники конкурса показали хорошее владение материалом и умение грамотно вести дискуссию. Содержание работ, представленных на конкурсе, достаточно полно отражало основные научные направления института. В целом конкурс показал, что в ИНХе много талантливых молодых исследователей, которые смогут в ближайшем будущем достойно представлять институт и приумножать его научный потенциал. На заседании Ученого совета 3 октября с докладами выступили ведущие ученые института. Тематика сделанных сообщений охватывала практически все актуальные исследования, ведущиеся в институте в настоящее время. Докладчики прекрасно осветили и исторические аспекты этих работ, показав развитие и трансформацию научных направлений за 50-летний период существования ИНХ СО РАН.

В завершение беседы хочу подчеркнуть, что ИНХовцы — народ надежный, полный сил и желания решать поставленные перед ними задачи.

Фото Р. Ахмерова
и из архива института.

 

Наука в Сибири
N 26-27 (2611-2612)
12 июля 2007 г.

МАЭСТРО КОНСЕНСУСА

Сегодня академику Федору Андреевичу Кузнецову, лауреату Государственной премии, исполняется 75 лет.

Л. Юдина, «НВС»

Иллюстрация

 

Он рос и мужал вместе с Сибирским отделением РАН. В 1958 году, вскоре после окончания ЛГУ, знаменитого факультета, на котором готовили специалистов-атомщиков, Ф. Кузнецов стал аспирантом Института неорганической химии Сибирского отделения и, единожды выбрав, не менял курса, не сворачивал с тропы, которая, по всем позициям, оказалась счастливой.

Федор Андреевич как-то сам признался, что за все 50 лет научной биографии не было временных отрезков, которые бы хотелось вычеркнуть: «Судьбу свою считаю счастливой, жизнь — удачной».

И если задаться целью проследить его творческий путь, то можно сделать очевидный вывод, что уже на старте присутствовали все составляющие успеха: целеустремленность, стремление к лидерству, работоспособность, врожденная дипломатичность и при всем при том — море обаяния. Казалось, он легко преодолевает одно препятствие за другим, без особого напряжения берет высоты. Понятно, это только казалось, ибо по натуре Ф. Кузнецов — стоик, свои «болячки» не любит выставлять напоказ.

— Федор Андреевич, вы признанный во всем мире специалист-материаловед. Ваша докторская диссертация посвящалась применению летучих соединений различных элементов периодической системы для создания материалов. По тем временам это было громкое слово в науке?

— Описанные в моей докторской диссертации работы были начаты в начале 1960-х годов. В то время приготовление материалов из газовой фазы только начиналось. Трудно было предвидеть, какое место займут эти процессы в технологии электронных устройств. Разработка процессов проводилась методом эмпирического поиска, проб и ошибок. Это была очень длительная и дорогая процедура — требования к набору свойств материалов уже тогда были суровые. Наш коллектив (в то время лаборатория эпитаксиальных слоев и защитных покрытий) решил применить физико-химический подход с намерением узнать как можно больше о механизмах процессов, кинетике и термодинамике, составляющих сложный процесс реакций. Первые сотрудники были выходцами из замечательных физико-химических школ Ленинградского и Московского университетов, Ленинградского политехнического института: Г. А. Коковин, В. И. Белый, Т. П. Чусова, А. Н. Голубенко, Ю. М. Румянцев, В. С. Кравченко, В. С. Данилович. Наше направление оказалось востребованным и быстро получило признание. На регулярно проводимых в Новосибирске симпозиумах по процессам синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводников и школах с близким названием всегда обсуждались и эти проблемы.

— Вы в последующие годы много сделали для пропаганды используемых методов и подходов, предложили комплексную методологию их изучения с использованием моделирования, соответствующих расчетов. По существу, это и есть называемый ныне компьютерный дизайн процессов и материалов?

— Действительно, разрабатываемый подход и получаемые количественные данные о применяемых процессах синтеза материалов позволили перейти к построению моделей процессов и перебору возможных условий его осуществления до проведения экспериментов. Это был один из первых случаев применения ЭВМ для анализа процессов. В освоении вычислительной техники основную роль сыграл перешедший к нам из института катализа Я. М. Буждан. Работы были сразу приняты отечественными и зарубежными материаловедами: по рекомендации А. В. Ржанова, в то время члена-корреспондента АН СССР, я был приглашен с пленарным докладом на международную конференцию по тонким пленкам в Венецию, по предприятиям электронной промышленности России ходили экземпляры нашего подробного отчета по теме «Туман». Название придумал заказчик, мы были рады, что удалось помочь технологам «рассеять туман» и сильно сократить процедуру поиска оптимальных условий в дорогих технологических экспериментах. Среди результатов, которые удалось получить с использованием процедур компьютерного моделирования, особенно гордимся анализом системы процессов технологии поликристаллического кремния. Они недавно были использованы для оптимизации технологии на создаваемом крупном производстве этого важнейшего материала для электронной техники. Удалось существенно упростить процесс и поднять его производительность в несколько раз.

— Развивается ли ныне заложенное вами направление?

— Сейчас многое изменилось в твердотельном приборостроении. Материалы и устройства, ныне создаваемые, трудно было представить в 60-х годах. Подход, который мы используем, состоит в том, что элементы электронных приборов создаются, начиная с атомов и молекул (снизу вверх). Именно нужды электроники привели к появлению методов синтеза и средств диагностики, которые сделали возможной нанотехнологию в разнообразных применениях. В самой твердотельной электронике нанотехнология давно применяется. Возможности наноэлектроники далеко не исчерпаны. И в дальнейшем прогрессе этой техники процессы формирования материалов из газовой фазы чрезвычайно важны.

Подавляющая часть электронных приборов делается на основе одного материала: полупроводникового кремния. Правда, каждый шаг в увеличении степени интеграции кремниевых приборов требует улучшения качества самого кремния. Некоторое время тому назад элементы кремниевых интегральных схем по всем измерениям переместились в так называемый нанодиапазон. Линейные размеры элементов (диэлектрических прослоек, металлической разводки) стали меньше 100 нанометров, а толщины этих слоев составляют лишь несколько нанометров. При переходе в этот интервал размеров потребовалось заменять традиционно используемые материалы. Так, замечательный диэлектрик — двуокись кремния (SiO2) потребовалось заменить на два различных материала.

Двуокись кремния замечательна еще и тем, что она образуется путем окисления кремния, составляющего основу прибора. Заменять же ее нужно на вещества, получаемые в сложных химических процессах. Очень перспективными представляются процессы, где исходные вещества — сложные, так называемые металлорганические соединения. У нас исследуются процессы получения диэлектриков — карбонитридов бора и кремния, оксида и силиката гафния. Эти диэлектрики идут на смену двуокиси кремния при размерах элементов менее 50 нанометров. Потребовалось заменять проводящую разводку. В нашем же институте, в лаборатории И. К. Игуменова разработан процесс создания медной разводки также из сложных металлорганических соединений.

До настоящего времени технологи ограничивались сравнительно простыми процессами осаждения из газовой фазы. Наноэлектроника требует освоения значительно более сложных процессов. Данное направление мы продолжаем развивать вместе с коллегами из других лабораторий института, из Иркутского института химии, из Института физики полупроводников с участием наших друзей в ряде российских и зарубежных лабораторий.

— Двадцать пять лет вы возглавляли ИНХ — на вашу долю выпали самые трудные годы. Что помогло коллективу выстоять?

— Упомяну несколько важнейших, на мой взгляд, факторов: в советское время был создан большой запас прочности — институт был организован и поддерживался как многопрофильный. Это позволяло ставить сложные задачи, требующие системного подхода. С другой стороны, многопрофильность — основа реализации разнообразных приложений.

В институте всегда присутствовало активное заинтересованное участие коллектива в решении возникающих проблем: регулярно работающая представительная дирекция, ученый совет института, совет трудового коллектива; профсоюзный комитет. И трудные проблемы смутного времени решали всем миром.

— Федор Андреевич, вы всегда были сторонником «научной стабильности» института. Можно сказать, что ИНХ не отступает от направлений, определенных при его создании?

— Если посмотреть на перечень научных направлений института в записях комиссий по проверке, видны происходящие изменения, весьма существенные. Не метания, скачки, а естественная эволюция. Главное, что мы сохраняли, заложенное еще Анатолием Васильевичем Николаевым и представителями первого поколения (я отношу себя ко второму или второму с половиной поколению) — ответственность за отрасль (технологию атомного топлива, металлургию, электронное материаловедение, метрологию, экологию), неразделимость первичного поиска от разработки значимых законченных приложений. Для нас была всегда характерна неприемлемость разделения на «чистую науку» и «грязную технологию», что порой пытаются навязать академии нынешние «реформаторы».

— Какие проблемы сегодня больше всего волнуют коллектив?

— Думаю, что здоровую часть института волнует невостребованность науки, происходящая от сырьевой ориентации экономики, и декларируемый многими ответственными лицами во власти приоритет интересов новых собственников. Эти интересы часто расходятся или противоположны интересам страны и тех людей, которым не досталась разделенная общественная собственность. Внушает надежду объявленная ориентация на инновационное развитие страны. Если это будет осуществляться, не обойтись без науки. Важно только, чтобы намерение оказалось серьезным, а положение изменилось до того, как произойдет необратимое разрушение научного потенциала. Я только что вернулся с СНГшной конференции по кремнию, проводимой в рамках программы научного совета РАН, который я имею честь возглавлять. Во всем мире идет кремниевый бум. Государства уделяют огромное внимание развитию производства этого стратегического материала № 1. Со стороны нашего государства такого внимания не заметно. Чиновники, которые призывались к рассмотрению этого вопроса, поучают: интересы собственника — это интересы страны. А собственники не торопятся тратиться на кремний. По оценке авторитетных участников конференции для решения проблемы кремния у нас осталось 2-3 года. Далее рынок будет разделен и произойдет то, что случилось со многими видами продукции. Только «отлучение» России от кремния — это значительно серьезней, чем вытеснение российских кур «ножками Буша».

— Совсем недавно вы оставили директорский пост. Тяжело это — отрываться от дела, которому отдавали душу и сердце?

— От дел я не отрываюсь. Многие считают, что мне теперь делать нечего и нужно меня куда-то привлечь. А в результате я занят поболее, чем в прежние годы. Приходится регулярно заглядывать в список нынешних обязанностей — на один лист не помещаются.

— Как ощущаете себя в 75 лет? Все знающие вас люди утверждают, что вы по-прежнему молоды и энергичны, годы совсем не властвуют над вами?

— Секрет простой. В принципе, годы властвуют надо всеми. Просто опасно себя жалеть. Нужно делать чуть-чуть больше, чем кажется возможным. Тогда некогда хандрить, скучать и болеть.

— Федор Андреевич, назовите главное правило, которым вы руководствовались, директорствуя (а ведь еще не один год были замдиректора)?

— Мне кажется, что важно быть максимально независимым с вышестоящими лицами и понимать, что зависишь от тех, над кем поставлен. Давать им свободу и не подменять в принятии решений и выполнении обязанностей. Это поднимает в людях самоуважение и ставит их в ответственное положение.


Неспроста я задала этот последний вопрос. Дело в том, что ИНХовский народ называет столько замечательных качеств бывшего директора, что их перечисление заняло бы не один десяток строк. Но особо понравилось мне определение — великолепный мастер консенсуса. Его я и вынесла в заголовок.

Фото В. Новикова
стр. 7

 

Наука в Сибири
N 15 (2600)
12 апреля 2007 г.

УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ:
ОТ МИЛЛИГРАММОВ —
К КИЛОГРАММАМ

Минуло чуть больше года, как в Институте неорганической химии СО РАН создана лаборатория физико-химии наноматериалов, призванная решать актуальные задачи этой бурно развивающейся отрасли. Заведующий лабораторией физико-химии наноматериалов доктор химических наук Александр ОКОТРУБ и ведущий научный сотрудник доктор химических наук Любовь БУЛУШЕВА прежде, чем перейти к делам своей молодой лаборатории, рассказали об истории зарождения столь популярной сегодня темы, о возникающих в связи с этим проблемах, поисках их решения в научном мире и достигнутых успехах.

Л. Юдина, «НВС»

А.О.: Где-то в начале 1990-х научный мир был очарован фуллеренами. Красивейшая молекула, состоящая из 60 атомов углерода, собранных в симметричный каркас, просто не могла не обладать удивительными свойствами, сулящими захватывающие перспективы. Открыли и идентифицировали ее, используя метод масс-спектрометрии, а спустя пять лет был найден способ производства фуллеренов в граммовых количествах. Естественно, для ученых — благодатное поле деятельности. Всем захотелось внести свой вклад в эту новую область науки и получить интересный результат.

Иллюстрация

Л.Б.: В лаборатории физико-химических методов, возглавляемой Л. Мазаловым, в которой мы начинали свою деятельность, в те годы был разработан оригинальный рентгеновский спектрометр, позволяющий исследовать электронную структуру различных веществ. К нам обращались коллеги со всей страны и даже из-за рубежа.

А.О.: Мы изучали электронное строение материалов, молекул. В содружестве с коллегами из Института кристаллографии РАН удалось создать кристаллы, с помощью которых получали очень хорошее разрешение спектров углерода. Кстати, других таких кристаллов до сих пор нет. В общем, лаборатория владела уникальным по тем временам методом и была заинтересована в расширении объектов исследования. Я в те годы занимался органическими молекулами, фторидами графита, ультрадисперсными алмазами. Естественно, что возник интерес и к исследованию фуллерена, представляющего собой новый класс углеродных соединений.

Л.Б.: В лаборатории работали экспериментаторы и теоретики, которые удачно друг друга дополняли. Я, как теоретик, вела расчеты спектров, что позволяло более детально разобраться с результатами эксперимента.

А.О.: Углеродные наноструктуры стали присутствовать в тематике постоянно. Начались поездки на конференции. Оказалось, огромное сообщество ученых интересуется наноуглеродом. Появились международные проекты — ИНТАС и другие. Более того, была попытка в 6-й Рамочной программе ЕС создать проект, объединив специалистов со всей Европы, занимающихся нанотрубками. Но — увы… Европейские эксперты не поверили, что можно наладить менеджмент сложной системы.

— Александр Владимирович, примерно в это же время или чуть раньше научные умы будоражила идея создания сверхпроводников. Как сосуществовали рядом два столь громких направления?

А.О.: Синтез сверхпроводящих систем — бум величайший! Углеродным структурам в этом плане повезло меньше, по-крайней мере, в нашей стране. Хотя появилась программа Миннауки «Фуллерены и атомные кластеры». И интерес к ней был достаточно высок, разве что средств выделялось не столь ощутимо. Мы в программе участвовали. Идей было много, одна из них — получение сверхпроводника на основе углеродных систем. Научные исследования в этом направлении до сих пор продолжаются. Потом было обнаружено, что углеродные структуры имеют интересные магнитные свойства. На основе фуллеренов создавались новые структуры — полимеризованный фуллерен, сверхтвердый, магнитный!

— А как на достижения коллег реагировали в Институте неорганической химии?

А.О.: По сути, мы находились в положении повторяющих, догоняющих, ибо в тяжелейшие для нашей науки дни упустили драгоценное время. Но то, что делали — делали неплохо. Научились синтезировать фуллерены, тут же их исследовали, характеризовали. Появились наши публикации за рубежом. В общем, мировое сообщество нас как бы признало. Но нам-то хотелось большего! У нас химический институт, а на первом этапе развития науки о наноуглероде этой проблемой занимались в основном физики. Поэтому некоторые наши работы о химической модификации углеродных наноструктур оказались вполне востребованными.

Л.Б.: Наш вклад в развитие данного направления был не очень весом, как впрочем, и всей российской науки. Но это был необходимый этап, иначе мы бы не смогли подняться на следующую ступень. Параллельно именно в те годы начались работы с углеродными нанотрубками — системами, получаемыми в тех же методах, что и фуллерены: химические подходы здесь весьма схожи.

А.О.: Замечу: нанотрубки — объект весьма загадочный. Синтезированные разными способами, в том числе каталитическими или высокотемпературным дуговым, нанотрубки очень сильно разнятся с точки зрения дефектности структуры. Сегодня все это понятно, но ведь надо было путем экспериментов и расчетов прийти к данным выводам: в результате нарушения «однородности» структуры появляются оборванные связи, локализованные электроны, дополнительная электронная плотность, что может значительно повлиять на свойства материала.

Итак, мы сосредоточили внимание на углеродных нанотрубках, которые сулили еще более интересные перспективы в исследовании, чем фуллерены. Причем, использовали многие из воззрений, опробованных на фуллеренах, которые являются их ближайшими родственниками.

— Александр Владимирович, еще несколько слов о фуллеренах. Столько говорилось о красивой молекуле, а надежды, можно считать, не оправдались?

А.О.: Дороги они чрезвычайно! На одной из конференций как-то подчеркивалось, что пока не будет найдено дешевых методов синтеза, о практическом их применении в больших масштабах не может быть и речи. Метод, используемый в настоящее время, является невероятно энергоемким, кроме того, выделение фуллеренов из продуктов синтеза также требует больших усилий.

— В принципе, где предполагается использовать фуллерены?

Л.Б.: В настоящее время основное применение фуллеренов находится в области, для которой цена не имеет существенного значения, — в медицине. Например, самое простое — соединения фуллеренов или нанотрубок могли бы являться своеобразным контейнером.

А.О.: Считается, что фуллерены могут оказывать противовирусное действие. Эндоэдральные соединения фуллерена, внутри которых находится металл, реагируют на воздействие магнитного поля. Таким образом, возникает возможность управлять этой системой, в частности, направляя ее в заданные области человеческого организма. В России уже есть компания, которая производит фуллерены в целях медицины. Правда, в некоторых случаях, например, когда говорят о «фуллереновых пирамидах», — это шаманство.

— Главное назначение углеродных нанотрубок?

А.О.: Одно из наиболее реалистичных применений — использование углеродных нанотрубок в наноэлектронике. Тоненькая углеродная проволочка может пропускать очень большие токи. Ведь графит, как известно, в отличие от многих других соединений, держит температуру до трех тысяч градусов, не разрушаясь. От разогрева графит становится только прочнее, многие свойства его улучшаются. Уже изобретена лампочка с использованием нанотрубки, которая может гореть чуть ли не вечно. В последние годы появился новый углеродный материал — графен, слой графита атомной толщины. Изменение формы и границы графена приводит к удивительному изменению его свойств. В электронике этот материал может заменить кремний.

Другое применение материалов на основе углеродных нанотрубок — тоже медицина. Привлекает то, что углеродные структуры являются биосовместимыми.

Л.Б.: В познании свойств углеродных нанотрубок мы вместе с мировым сообществом прошли несколько этапов. Исследовали многослойные трубки, в которых цилиндрические графитовые слои вложены друг в друга наподобие русской матрешки. Казалось, что только многослойные структуры и могут быть получены в синтезе.

А.О.: Однако, через два года после начала исследований в области углеродных нанотрубок научились синтезировать однослойные структуры. И это представлялось совершенной фантастикой — не должны они образовываться, и все тут! Тем не менее, оказалось, что все возможно. Надо только добавить катализатор. Стали заниматься выделением трубок, научились методам очистки и тому, как укладывать их на золотые электроды, измерять проводимость. В ряде случаев получились связки из углеродных нанотрубок, представляющие собой кристалл. Оказалось, процесс самосборки осуществляется уже в ходе синтеза.

Л.Б.: Но тут же обнаружились и проблемы: углеродные нанотрубки, составляющие кристалл, частично полупроводниковые, частично — металлические. Для применений в электронике следовало убрать металлические структуры. Нашли способы — выжигание, химическая модификация, разделение.

А.О.: А еще предстояло неупорядоченную структуру из углеродных нанотрубок превратить в ориентированную. И это научились делать. А текстурированный образец из ориентированных углеродных нанотрубок уже является элементом новых электронных устройств. Два года как существует методика синтеза массивов ориентированных однослойных нанотрубок.

— А как продвинулась в этом направлении ваша молодая лаборатория?

А.О.: Образно говоря, мы осваиваем отдельные стадии сложного процесса, но пока нет реальной возможности осуществить весь, свести воедино элементы технологии. Главное для нас сейчас — создать базу исследований. Пока ее не будет, не выйти на передовые позиции. При этом понятно, что невозможно в рамках одной лаборатории делать все. Поэтому в Сибирском отделении у нас имеется хорошая кооперация с Институтом катализа, Институтом автоматики и электрометрии, Институтом физики, Институтом физики полупроводников и другими. Исследования идут довольно широким фронтом, и мы надеемся на удачу.

— Цель видится вполне конкретная?

А.О.: Профессиональное решение научных задач. Лаборатория наша комплексная, реализуем сразу несколько методик. Мы уже говорили, что можем синтезировать нанотрубки с низкой концентрацией дефектов, получать фуллерены. Есть в лаборатории две установки для роста углеродных нанотрубок из газовой фазы с использованием катализаторов. Сейчас важно разработать полупромышленную установку, которая бы позволяла нам синтезировать в неделю килограммы! В настоящий момент за синтез мы имеем где-то миллиграммов двадцать, килограмм еле-еле нарабатываем за месяц. А заявки есть. Недавно был представитель японской фирмы, который хотел бы купить один килограмм углеродных нанотрубок. То есть очень важно для нас перейти на полупромышленное производство. После того, как мы синтезируем трубки, во многих случаях их требуется очистить от побочных продуктов. Это довольно сложная задача.

Продолжаем развивать методы характеризации — рентгеновскую спектроскопию, компьютерное моделирование. Моделирование, как известно, необходимо не только для того, чтобы объяснить эксперименты, но и чтобы предсказывать свойства. А за этим стоит полевая эмиссия, создание определенных устройств: плоские лампы, дисплеи, миниатюрные рентгеновские трубки, которые можно использовать для нужд томографической медицины.

Л.Б.: Но для того, чтобы создать такую рентгеновскую трубку, нужно прежде собрать определенную конструкцию. Для этого необходима кооперация не только со специалистами нужного профиля, но и с производственными предприятиями.

А.О.: Идей — множество. И огромное желание работать. Коллектив наш в основном молодежный. В этом году у нас должны пройти через разные виды защиты дипломов девять человек. Все мы варимся в котле общего интереса к наноструктурам и верим в будущее.

стр. 4

 

Наука в Сибири
N 6 (2591)
8 февраля 2007 г.

СИБИРЯКИ — ОБЛАДАТЕЛИ
ГРАНТОВ 2007 ГОДА
ФОНДА СОДЕЙСТВИЯ
ОТЕЧЕСТВЕННОЙ НАУКЕ

Попечительский совет Фонда содействия отечественной науке обнародовал в конце января 2007 г. имена лауреатов Фонда 2007 года в номинации «Выдающиеся ученые». Определены и победители конкурсов на гранты Фонда «Кандидаты и доктора наук РАН» и «Лучшие аспиранты РАН».

Гранты Фонда предназначены для поддержки плодотворной научной работы большой группы молодых ученых РАН. Размер одного гранта (до вычета подоходного налога) для аспиранта составляет 2000 долларов в год, для кандидата наук — 3000 долларов, для доктора наук — 5000 долларов. Гранты будут выплачиваться несколькими траншами в течение года в рублях по курсу Центробанка с мая 2007 года по март 2008 года.

В конкурсе принимали участие граждане РФ — учащиеся очной аспирантуры научных учреждений Российской академии наук, кандидаты наук, постоянно работающие в научных учреждениях РАН, возраст которых не превышал 35 лет, и доктора наук, работающие в научных учреждениях РАН, возраст которых не превышал 45 лет на момент подачи заявки.

Благотворительный общественный Фонд содействия отечественной науке создан в октябре 2000 года Президиумом Российской академии наук совместно с компаниями «Сибнефть» и «Русский алюминий».

Основными целями и задачами Фонда являются: материальная и моральная поддержка выдающихся российских ученых и талантливой научной молодежи; поднятие престижа науки в глазах российской и мировой общественности; попытка остановить отъезд талантливой научной молодежи в США и страны Западной Европы; налаживание плодотворного сотрудничества между научным сообществом и патриотически настроенными представителями крупного бизнеса страны; развитие благородных традиций российского меценатства.

Возглавляет Фонд президент РАН академик Ю. Осипов; вице-президенты Фонда: губернатор Чукотского Автономного Округа  Р. Абрамович, генеральный директор ОАО «Русский Алюминий» О. Дерипаска; председатель Попечительского совета Фонда: вице-президент РАН академик Н. Лаверов. Учредителями Фонда являются крупные представители российского бизнеса: Р. Абрамович, О. Дерипаска и А. Мамут.

Выдающиеся ученые

Попечительский совет Фонда содействия отечественной науке назвал имена 11 победителей 2007 года в номинации «Выдающиеся ученые» и имена трех лауреатов в этой номинации, гранты которым были продлены на второй год.

Среди лауреатов — ученые Сибирского отделения РАН:

  • Боровков Александр Алексеевич, академик (г. Новосибирск);
  • Накоряков Владимир Елиферьевич, академик (г. Новосибирск);
  • Сакович Геннадий Викторович, академик (г. Бийск).

Кандидаты и доктора наук РАН

Попечительский совет и Экспертная комиссия Фонда объявили имена новых лауреатов конкурса 2007 г. в номинации «Кандидаты и доктора наук РАН». На конкурс было представлено более 1000 заявок. Определены имена 73 победителей конкурса: 43 кандидатов наук и 30 докторов наук. Кроме того, на основании анализа годовых научных отчетов Попечительский совет принял решение о продлении грантов Фонда на второй год 357 кандидатам наук и 70 докторам наук.

Приводим список лауреатов конкурса 2007 г. — сотрудников Сибирского отделения РАН.

Доктора наук

  • Анненков Вадим Владимирович, Лимнологический институт СО РАН;
  • Бабин Сергей Алексеевич, Институт автоматики и электрометрии СО РАН;
  • Байкова Елена Валентиновна, Центральный сибирский ботанический сад СО РАН;
  • Булушева Любовь Геннадьевна, Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН;
  • Волков Никита Валентинович, Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН;
  • Глупов Виктор Вячеславович, Институт систематики и экологии животных СО РАН;
  • Имомназаров Холматжон Худайназарович, Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН;
  • Коптюг Игорь Валентинович, Международный томографический центр СО РАН;
  • Коренев Сергей Васильевич, Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН;
  • Коршунов Дмитрий Алексеевич, Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН;
  • Лапко Василий Александрович, Институт вычислительного моделирования СО РАН;
  • Матвеев Андрей Иннокентьевич, Институт горного дела Севера им. Н. В. Черского СО РАН;
  • Орешкин Владимир Иванович, Институт сильноточной электроники СО РАН;
  • Панин Сергей Викторович, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН;
  • Сокол Александр Григорьевич, Институт геологии и минералогии СО РАН;
  • Старовойтов Виктор Николаевич, Институт гидродинамики им. М. А. Лаврентьева СО РАН;
  • Суровцев Николай Владимирович, Институт автоматики и электрометрии СО РАН;
  • Тюрина Элина Александровна, Институт систем энергетики им. Л. А. Мелентьева СО РАН
  • Шарыпов Олег Владимирович, Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН;
  • Шмидт Елена Юрьевна, Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского СО РАН;
  • Якимов Андрей Иннокентьевич, Институт физики полупроводников СО РАН.

Кандидаты наук

  • Андреева Ирина Владимировна, Институт водных и экологических проблем СО РАН;
  • Аржанникова Анастасия Валентиновна, Институт земной коры СО РАН;
  • Бадмаева Саяна Васильевна, Байкальский институт природопользования СО РАН;
  • Байжанова Надежда Романовна, Институт филологии Объединенного института истории, филологии и философии СО РАН;
  • Балаев Дмитрий Александрович, Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН;
  • Баранникова Светлана Александровна, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН;
  • Батяев Евгений Александрович, Институт гидродинамики им. М. А. Лаврентьева СО РАН;
  • Бедарев Игорь Александрович, Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН;
  • Белозерцева Ирина Александровна, Институт географии им. В. Б. Сочавы СО РАН;
  • Борисова Татьяна Степановна, Институт общей и экспериментальной биологии СО РАН;
  • Бояндин Анатолий Николаевич, Институт биофизики СО РАН;
  • Бурмистров Александр Васильевич, Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН;
  • Бушенкова Наталья Анатольевна, Институт геологии Объединенного института геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Быковская Елена Федоровна, Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН;
  • Васильев Андрей Викторович, Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН;
  • Верховцева Наталья Валерьевна, Институт геологии и минералогии СО РАН;
  • Головнева Елена Игоревна, Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН;
  • Грабельных Ольга Ивановна, Сибирский институт физиологии и биохимии растений СО РАН;
  • Гришин Артем Евгеньевич, Институт археологии и этнографии СО РАН;
  • Груздева Татьяна Владимировна, Институт динамики систем и теории управления СО РАН;
  • Губанов Александр Иридиевич, Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН;
  • Дамдинов Булат Батуевич, Геологический институт СО РАН;
  • Деев Евгений Викторович, Институт геологии нефти и газа Объединенного института геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Донская Татьяна Владимировна, Институт земной коры СО РАН;
  • Доржиева Сэсэгма Гэлэгжамсуевна, Байкальский институт природопользования СО РАН;
  • Дорошкевич Анна Геннадьевна, Геологический институт СО РАН;
  • Дудко Дина Николаевна, Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН, Тюменский филиал
  • Еременко Виталий Андреевич, Институт горного дела СО РАН;
  • Жимулев Егор Игоревич, Институт геологии и минералогии СО РАН;
  • Зедгенизов Дмитрий Александрович, Институт минералогии и петрографии Объединенного института геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Зотина Татьяна Анатольевна, Институт биофизики СО РАН;
  • Иванов Константин Львович, Международный томографический центр СО РАН;
  • Каблуков Сергей Иванович, Институт автоматики и электрометрии СО РАН;
  • Колесников Алексей Викторович, Институт физики полупроводников СО РАН;
  • Коробков Михаил Вячеславович, Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН;
  • Корсаков Андрей Викторович, Институт минералогии и петрографии Объединенного института геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Кузнецова Ирина Львовна, Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН;
  • Кузьмин Андрей Олегович, Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН;
  • Кулик Леонид Викторович, Институт химической кинетики и горения СО РАН;
  • Латышева Анастасия Викторовна, Институт географии им. В. Б. Сочавы СО РАН;
  • Линке Юлиана Юрьевна, Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН;
  • Логашенко Иван Борисович, Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН;
  • Лопаткин Дмитрий Александрович, Институт географии им. В. Б. Сочавы СО РАН;
  • Лунина Оксана Викторовна, Институт земной коры СО РАН;
  • Лысова Анна Александровна, Международный томографический центр СО РАН
  • Магер Павел Николаевич, Институт солнечно-земной физики СО РАН;
  • Макаров Александр Юрьевич, Новосибирский институт органической химии им. Н. Н. Ворожцова СО РАН;
  • Маркова Евгения Владимировна, Институт систем энергетики им. Л. А. Мелентьева СО РАН;
  • Мартьянов Олег Николаевич, Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН;
  • Матвеев Андрей Викторович, Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН;
  • Миронов Андрей Евгеньевич, Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН;
  • Монгуш Андрей Александрович, Тувинский институт комплексного освоения природных ресурсов СО РАН;
  • Мысовский Андрей Сергеевич, Институт геохимии им. А. П. Виноградова СО РАН;
  • Наговицин Константин Евгеньевич, Институт геологии нефти и газа Объединенного института геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Никуличева Надежда Юльевна, Институт философии и права Объединенного института истории, филологии и философии СО РАН;
  • Новопашин Алексей Петрович, Институт динамики систем и теории управления СО РАН;
  • Обут Ольга Тимофеевна, Институт геологии нефти и газа Объединенного института геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Папин Андрей Владимирович, Институт угля и углехимии СО РАН;
  • Петрова Павлина Николаевна, Институт неметаллических материалов ЯНЦ СО РАН;
  • Поросев Вячеслав Викторович, Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН;
  • Потанина Юлия Михайловна, Институт систем энергетики им. Л. А. Мелентьева СО РАН;
  • Рева Владимир Борисович, Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН;
  • Реутский Вадим Николаевич, Объединенный институт геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Рудой Евгений Михайлович, Институт гидродинамики им. М. А. Лаврентьева СО РАН;
  • Рупышев Юрий Алексеевич, Институт общей и экспериментальной биологии СО РАН;
  • Русин Евгений Владимирович, Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН;
  • Садовская Оксана Викторовна, Институт вычислительного моделирования СО РАН;
  • Селезнева Ирина Александровна, Объединенный институт истории, филологии и философии СО РАН, Омский филиал;
  • Семенова Ирина Александровна, Отдел физических проблем при Президиуме БНЦ СО РАН;
  • Солодянкина Светлана Викторовна, Институт географии им. В. Б. Сочавы СО РАН;
  • Сорокина Наталья Владимировна, Институт криосферы Земли СО РАН;
  • Софронова Светлана Николаевна, Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН;
  • Спектор Валентин Владимирович, Институт мерзлотоведения им. П. И. Мельникова СО РАН;
  • Столяр Сергей Викторович, Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН;
  • Тендитник Михаил Владимирович, Институт цитологии и генетики СО РАН;
  • Терехов Владимир Викторович, Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН;
  • Терещенко Олег Евгеньевич, Институт физики полупроводников СО РАН;
  • Токарев Вячеслав Вадимович, Институт систем энергетики им. Л. А. Мелентьева СО РАН;
  • Убугунов Василий Леонидович, Байкальский институт природопользования СО РАН;
  • Хе Александр Канчерович, Институт гидродинамики им. М. А. Лаврентьева СО РАН;
  • Хобракова Валентина Бимбаевна, Институт общей и экспериментальной биологии СО РАН;
  • Цыбикова Бэлэгма Амоголоновна, Байкальский институт природопользования СО РАН;
  • Цыренов Бабасан Доржиевич, Институт монголоведения, буддологии и тибетологии СО РАН;
  • Черняк Михаил Юрьевич, Институт химии и химической технологии СО РАН;
  • Шабанова Елена Владимировна, Институт геохимии им. А. П. Виноградова СО РАН;
  • Шайхутдинов Кирилл Александрович, Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН;
  • Шалаев Алексей Александрович, Институт геохимии им. А. П. Виноградова СО РАН;
  • Шипилов Сергей Эдуардович, Институт сильноточной электроники СО РАН;
  • Шмаков Андрей Геннадьевич, Институт химической кинетики и горения СО РАН;
  • Юсенко Кирилл Валерьевич, Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН;
  • Ян Петр Александрович, Институт геологии нефти и газа Объединенного института геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН.

Аспиранты РАН

Попечительский совет и Экспертная комиссия фонда назвали имена победителей конкурса 2007 г. «Лучшие аспиранты РАН» на соискание грантов в области естественных и гуманитарных наук для аспирантов научных учреждений Российской академии наук. На конкурс было представлено более 590 заявок по 7 научным направлениям: математические науки, физика и астрономия, биология, химия и науки о материалах, науки о Земле, инженерные и технические науки, общественные и гуманитарные науки. На основании результатов работы экспертной комиссии были определены имена 145 победителей конкурса. Кроме того, на основании анализа годовых научных отчетов Попечительский совет принял решение о продлении грантов Фонда на второй год 55 аспирантам научных учреждений РАН.

Приводим список сибиряков — лауреатов конкурса:

  • Аммосова Ольга Александровна, Институт проблем нефти и газа Объединенного института физико-технических проблем Севера СО РАН;
  • Аюржанаева Дулмажап Цыденешиевна, Геологический институт СО РАН;
  • Бабурин Алексей Евгеньевич, Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН;
  • Бессонов Александр Александрович, Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН;
  • Брызгунова Ольга Евгеньевна, Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН;
  • Власов Александр Анатольевич, Институт автоматики и электрометрии СО РАН;
  • Гибшер Анастасия Анатольевна, Институт геологии и минералогии СО РАН;
  • Гирсова Светлана Леонидовна, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН;
  • Гущин Артем Леонидович, Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН;
  • Ерченко Марина Александровна, Институт филологии Объединенного института истории, филологии и философии СО РАН;
  • Ефремова Ольга Александровна, Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН;
  • Жимулев Федор Игоревич, Институт геологии нефти и газа Объединенного института геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Кильдюшева Алина Анатольевна, Институт археологии и этнографии СО РАН, Омский филиал;
  • Козлов Михаил Геннадьевич, Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН;
  • Колесникова Екатерина Сергеевна, Новосибирский государственный университет;
  • Кормилец (Махутова) Олеся Николаевна, Институт биофизики СО РАН;
  • Коротченко Мария Андреевна, Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН;
  • Кох Константин Александрович, Институт геологии и минералогии СО РАН;
  • Крыжевич Дмитрий Сергеевич, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН;
  • Кузнецов Никита Александрович, Новосибирский государственный университет
  • Лось Антон Васильевич, Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН;
  • Лысенко Оксана Владимировна, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН;
  • Мальцев Роман Владимирович, Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН;
  • Пестунов Андрей Игоревич, Институт вычислительных технологий СО РАН;
  • Подбережный Максим Юрьевич, Институт нефтегазовой геологии и геофизики им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Портнягин Альберт Серафимович, Институт проблем нефти и газа Объединенного института физико-технических проблем Севера СО РАН;
  • Почекунина Марина Валерьевна, Институт земной коры СО РАН;
  • Пузынина Светлана Александровна, Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН;
  • Романенко Светлана Анатольевна, Институт цитологии и генетики СО РАН;
  • Савитский Вадим Александрович, Институт земной коры СО РАН;
  • Селятицкий Александр Юрьевич, Институт минералогии и петрографии Объединенного института геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Семенов Матвей Егорович, Институт проблем нефти и газа Объединенного института физико-технических проблем Севера СО РАН;
  • Степанюк Галина Анатольевна, Институт биофизики СО РАН;
  • Сухачев Александр Леонидович, Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН;
  • Тимина Татьяна Юрьевна, Институт геологии и минералогии СО РАН;
  • Тимонин Владимир Владимирович, Институт горного дела СО РАН;
  • Цыбенов Юрий Бадмажапович, Институт общей и экспериментальной биологии СО РАН;
  • Чернышев Кирилл Андреевич, Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского СО РАН;
  • Шеин Александр Николаевич, Институт геофизики Объединенного института геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН;
  • Юркин Максим Александрович, Институт химической кинетики и горения СО РАН;

Подготовлено по материалам
сайта Фонда поддержки
отечественной науки
http://www.science-support.ru/
стр. 8-9