Программа
Тема доклада | Время | Докладчик |
---|---|---|
Открытие сессии | 12.00 | В.П. Федин |
Основные вехи истории отдела | 12.05 | Ф.А. Кузнецов |
Сцинтилляционные материалы: инженерия, устройства, применение, производство кристаллов | 12.35 | Я.В. Васильев |
Развитие методов выращивания кристаллов: от классических полупроводников до уникальных молибдатов и вольфраматов | 12.55 | А.А. Павлюк |
Перспективы процессов CVD в технологии материалов | 13.15 | М.Л. Косинова |
Термодинамическое направление в отделе материаловедения | 13.35 | В.И. Косяков |
Синтез, характеризация и свойства высокотемпературных соединений РЗМ | 13.55 | В.В. Баковец |
Структура и свойства углеродных наноматериалов | 14.15 | А.В. Окотруб |
Углерод-фторуглеродные нанокомпозиты – новые материалы хранения и преобразования энергии | 14.35 | В.Н. Митькин |
14.45–15.15 Кофе-перерыв | ||
Новые соединения – перспективные исходные вещества новых материалов | 15.15 | В.П. Федин |
Теоретические исследования функциональных материалов | 15.35 | О.С. Субботин |
Создание системы аналитичеcкого контроля химического состава высокочистых веществ и материалов в ИНХ СО РАН | 15.55 | А.И. Сапрыкин |
Развитие физических методов диагностики и характеризации материалов полупроводниковой электроники | 16.15 | М.Ф. Резниченко |
Взаимосвязь электронных транспортных свойств с функциональностью материалов | 16.30 | А.И. Романенко |
Презентация «Памяти ушедших» | 16.40 | М.М. Федотова |